CMOS低压差线性稳压器
《CMOS低压差线性稳压器》,王忆,何乐年 著,出版社: 科学出版社。
科学出版社是由中国科学院编译局与1930年创建的龙门联合书局于1954年8月合并成立的;目前公司年出版新书3000多种,期刊500多种,形成了以科学(S)、技术(T)、医学(M)、教育(E)、人文社科(H)[1]为主要出版领域的业务架构[2]。
目录
内容简介
《CMOS低压差线性稳压器》系统地介绍了CMOS低压差线性稳压器(LDO)芯片设计技术,包括系统结构与组成,以及基准电路、误差放大器、辅助电器等,对其中的设计关键技术,例如频率补偿、电源噪声抑制、大信号响应等技术有详细的分析。在电路理论分析的基础上,提出了低功耗LDO、无片外电容LD0以及高电源噪声抑制LDO芯片的设计方法,并有详细仿真与测试结果。
《CMOS低压差线性稳压器》可作为集成电路设计、微电子、电子信息工程等专业的高年级本科生和研究生学习模拟CMOS集成电路设计的教材,也可供从事模拟集成电路设计的工程师参考。
目录
前言
第1章 绪论
1.1 稳压器芯片
1.2 LDO芯片的基本原理
1.3 LDO芯片研究热点
1.3.1 无片外负载电容LDO芯片
1.3.2 高电源噪声抑制LDO芯片
1.3.3 新型频率补偿方案
1.3.4 优化LDO瞬态响应
参考文献
第2章 LDO的组成
2.1 基准电路
2.1.1 电压基准电路
2.1.2 电流基准电路
2.2 误差放大器
2.2.1 误差放大器的结构
2.2.2 极点分布
2.2.3 误差放大器的增益
2.2.4 误差放大器的带宽
2.2.5 误差放大器的摆率
2.2.6 误差放大器的工作电压范围
2.2.7 误差放大器的输出电压范围
2.2.8 误差放大器的输入电压范围
2.2.9 误差放大器的频率补偿方案
2.2.10 误差放大器的电源抑制特性
2.3 功率级
2.3.1 输出电流范围
2.3.2 功率管栅源电压变化范围
2.3.3 功率级的增益
2.3.4 功率级的带宽(极点)
2.3.5 功率级的增益带宽积
2.3.6 功率管的栅电容
2.3.7 反馈电阻网络
2.3.8 片外负载电容
2.3.9 功率级的频率补偿方案
2.3.10 功率级的电源抑制特性
2.4 辅助电路
2.4.1 关断电路
2.4.2 启动电路
2.4.3 摆率增强电路
2.4.4 片外电容放电电路
2.4.5 限流电路
2.4.6 短路保护电路
2.4.7 过温保护电路
参考文献
第3章 基准电路
3.1 电压基准电路
3.1.1 带隙电压基准的基本原理
3.1.2 利用PTAT电流产生基准电压
3.1.3 在运放的输出端产生基准电压
3.1.4 两种结构的性能比较
3.1.5 高电源抑制电压基准
3.2 电流基准电路
3.2.1 与电源无关电流基准电路的基本原理
3.2.2 理论与实际的差距
3.2.3 改善电流基准电路的电源抑制特性
3.2.4 利用不同电阻温度特性和二极管的反向电流减小基准电流的温漂系数
3.2.5 全CMOS电流基准电路
参考文献
第4章 误差放大器和功率级
第5章 频率补偿
第6章 电源噪声抑制
第7章 LDO大信号响应和摆率增强电路
第8章 辅助电路
第9章 LDO设计实例
参考文献
- ↑ 论自然科学、社会科学、人文科学的三位一体,搜狐,2017-09-28
- ↑ 公司简介,中国科技出版传媒股份有限公司