郭杭聞
個人簡介
郭杭聞，男，生於1985年，2007年本科畢業於復旦大學物理系，2013年在田納西大學諾克斯維爾分校物理系獲得理學博士學位，2013至2016年在路易斯安那州立大學任博士後，2016至2018年任該校研究助理教授，2018年加入復旦大學微納電子器件與量子計算機研究院，任青年研究員。長期從事複雜氧化物薄膜和異質結的製備、多場量子調控和原型器件的研究，曾設計並發現界面誘導的磁性極化金屬、多鐵等新奇量子態；構築低電流密度和功耗的多比特存算一體微納器件等。在Nature Communications，PRL, PNAS等學術期刊上共發表論文30餘篇，總引用540餘次，2019年入選上海市海外高層次人才引進計劃。
研究方向
郭杭聞博士主要研究方向為氧化物薄膜，界面量子效應及調控；研發新型多鐵材料；存算一體和神經網絡器件等等。迄今發表 SCI 論文 20餘篇，包括多篇PRL, PNAS, Nano Letters和Nature Communications, 累計 SCI 引用超過 300餘次。
代表性文章
(1)Hangwen Guoet al., Interface-induced multiferroism by design in complex oxide superlattices, Proceedings of National Academy of Sciences of the United States of America (PNAS), 114, E5062-E5069 (2017).
(2) Zhen Wang, Hangwen Guo*et al., 「Designing antiphase boundaries by atomic control of heterointerfaces」, Proceedings of National Academy of Sciences of the United States of America (PNAS) 115, 9485-9490 (2018)
(3)Hangwen Guo et al. 「Strain Doping: Reversible single-axis control of a complex oxide lattice via helium implantation」, Physical Review Letters 114, 256801(2015)