現代集成電路工廠中的先進光刻工藝研發方法與流程

《現代集成電路工廠中的先進光刻工藝研發方法與流程》，李艷麗，伍強 著，出版社： 清華大學出版社。

清華大學出版社成立於1980年6月，是教育部主管、清華大學主辦的綜合性大學出版社。清華社先後榮獲 「先進高校出版社」「全國優秀出版社」「全國百佳圖書出版單位」「中國版權最具影響力企業」「首屆全國教材建設獎全國教材建設先進集體」等榮譽。

目錄

內容簡介

本書基於作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發經驗，從集成電路工廠的基本結構、半導體芯片製造中常用的控制系統、圖表等基本內容出發，依次介紹光刻基礎知識，一個6晶體管靜態隨機存儲器的電路結構與3個關鍵技術節點中SRAM 製造的基本工藝流程，光刻機的發展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與光刻工藝仿真舉例，光刻技術的發展、應用以及先進光刻工藝的研發流程，光刻工藝試流片和流片的基本過程，光刻工藝試流片和流片中出現的常見問題和解決方法，光刻工藝中採用的關鍵技術舉例以及其他兩種與光刻相關的技術等內容。

本書不僅介紹光刻工藝相關基礎知識，還介紹了一種符合工業標準的標準化研發方法，通過理論與仿真相結合，力求更加清楚地展示研發過程。本書可供光刻技術領域科研院所的研究人員、高等院校的學生、集成電路工程的技術人員等作為學習光刻技術的參考書。

作者介紹

李艷麗，復旦大學微電子學院青年研究員、碩士生導師。2010年於山東大學獲學士學位，2015年於復旦大學獲博士學位。博士期間主要從事硅納米晶體和硅納米線的製備以及研究其發光特性的工作，在國內外期刊上發表多篇論文。2015-2021年，先後在中芯國際研發部、上海集成電路研發中心，負責28 nm、14 nm和5 nm基於EUV的光刻工藝技術研發工作。2021年6月加入復旦大學微電子學院，主要研究方向是「集成電路先進光刻工藝及光刻相關設備、光刻材料、光刻相關算法軟件」。自2019年起，在中國國際半導體技術大會（ CSTIC）、固態和集成電路技術國際會議（ICSICT）、國際先進光刻技術研討會（IWAPS）、 國際專用集成電路會議（ASICON）以及其他期刊上以一作或通訊作者發表EUV、DUV相關光刻技術論文20餘篇，並憑藉極紫外光刻膠隨機效應模型獲得2020年CSTIC優秀年輕工程師二等獎。還獲得2022年 ICSICT 「傑出青年學者論文獎」。申報專利54項，授權16項（其中申報一作16項，授權6項），專利涉及深紫外、極紫外工藝、材料以及相關設備。

伍強，復旦大學研究員、博士生導師。1993年於復旦大學獲物理學學士學位，1999年於耶魯大學獲物理學博士學位。畢業後就職於IBM公司，擔任半導體集成電路光刻工藝研發工程師，在研發65nm邏輯光刻工藝時，在世界上首次通過建模精確地測量了光刻工藝的重要參數：等效光酸擴散長度。2004年回國，先後擔任光刻工藝研發主管、光刻設備應用部主管，就職於上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設備製造（中國）有限公司、中芯國際集成電路製造（上海）有限公司、中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司、上海集成電路研發中心和復旦大學。先後研發或帶領團隊研發0.18um、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等邏輯光刻工藝技術和0.11μm 動態隨機存儲器（DRAM）光刻工藝技術，帶領設備應用部團隊將193nm浸沒式光刻機成功引入中國。截至2023年12月，個人共獲得112項專利授權，其中40項美國專利，發表光刻技術論文83篇。擔任國家「02」重大專項光刻機工程指揮部專家，入選「2018年度上海市優秀技術帶頭人」計劃。2007-2009年擔任ISTC（國際半導體技術大會）光刻分會，2010-2024年擔任CSTIC（中國國際半導體技術大會）光刻分會副。