张乃千
 | 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2020年1月7日) |
张乃千，男，95年毕业于清华大学电子工程学士学位，微波专业，07年毕业于加州大学电子与计算机工程博士学位，半导体专业，是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一，是美国电子工程师协会(IEEE)会员，及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。
目录
简介
张乃千博士是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一，是美国电子工程师协会(IEEE)会员，及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。1997年入美留学加州大学Santa Barbara分校，师从美国科学院院士Umesh Mishra教授，获固态半导体博士学位。在博士研究阶段，张乃千研制出世界首个GaN电力电子器件，其击穿电压超过1千伏。毕业后进入当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司，两年后任产品开发主管，主持砷化镓(GaAs)功放芯片产品开发工作，并参与氮化镓微波功率器件开发。2006年底任Fultec公司先进半导体技术经理，负责开发高电压氮化镓开关功率器件。他研制出的2千伏开关又一次刷新了该领域GaN器件的记录，开创了氮化镓应用于电力电子的新局面。2007年张乃千回国创办了西安能讯微电子有限公司。能讯公司是中国第一家生产宽禁带半导体电子器件的企业，致力于氮化镓等功率器件的产品开发及产业化。2009年4月因其在氮化镓电子器件领域所作出的的突出贡献，以及对其产业化的努力，张乃千入选首批中组部评选的"千人计划"国家特聘专家。张乃千本科就读于清华大学电子工程系微波工程专业，之后曾作为访问学者于香港城市大学研究高效率微波放大器。
| 张乃千 | |
|---|---|
| 出生 | 中国 |
| 国籍 | 中国 |
| 职业 | 电子与计算机工程 |
人物资历
学术背景
97年9月 – 07年5月，加州大学Santa Barbara分校(UCSB)
电子与计算机工程博士学位，半导体专业，2002 年 6 月
商业管理实践研究生认证 (GPMP) ，2002 年 2 月
UCSB是世界上最早开展氮化镓材料和器件研究的大学之一，并且在这个领域保持领先地位至今。世界上第一个氮化镓白光发光二极管的发明人中村修二就在学校任教，现在白光发光二极管已经成为照明和显示器的发展趋势。世界上第一个氮化镓微波功率HEMT器件就是美国科学院院士Umesh Mishra教授的课题组1994年开发出来的。UCSB电机系更是汇集了例如诺贝尔物理奖获得者Herbert Kroemer，氮化镓材料的先驱Steven DenBaars，电机物理化学三栖终生会员Evelyn Hu等一大批半导体领域的杰出科学家。如今，UCSB已经成为了世界氮化镓半导体研究的中心。
90年9月– 95年6月，清华大学
电子工程学士学位，微波专业，1995 年 7 月
工作经历
07年6月至今，能讯微电子有限公司，总裁
● 能讯公司是中国首家宽禁带半导体电子器件公司，生产氮化镓微波功率器件和电力电子器件。
● 2009年推出了2 kV高电压开关器件;2010年推出了微波功率器件。
● 2011年公司开始在昆山建设中国第一条氮化镓电子器件生产线。
06年10月 – 07年5月，美国Fultec公司(现Bourns公司)，先进半导体技术经理
● 开发出了世界记录的击穿电压超过2 kV的氮化镓HEMT。
02年7月 – 06年9月，美国RFMD公司，基站产品部产品开发主管
● 主持开发了基站产品部第一代RF3800系列微波功率放大器芯片。
● 公司"Spotlight" 奖获得者。
● RFMD GaN HEMT专业指导委员会成员。
● CCG领导管理艺术培训结业。
00年6月 – 00年9月，美国Cree公司，器件工程师
● C 波段氮化镓微波混合功率放大器设计及制造工作。
● GaN HEMT表面钝化技术工业应用。
96年12月 – 97年6月， 香港城市大学，访问学者
● 设计和制造应用于无线通讯领域的超高效率射频E类放大器。
● 开发出应用于宽带E类放大器的自动负载调节技术。
相关视频
会幕神学-张乃千16