半导体中的电子和空穴

《半导体中的电子和空穴》，半导体晶体管电子学基础著作。威·肖克利著。1950年美国德·万·Nostrand公司出版，1951年、1953年、1954年、1955年分别再版。

内容简介

本书共558页，分为3大部分共17章。第1部分为晶体管电子学导论，包括4章，以最简单的理论方法介绍了半导体的性质、晶体管、电子和空穴的注入及晶体管的物理理论等，为晶体管应用和初步设计考虑的基础。第2部分为半导体理论的描述，包括8章，介绍了量子态、能带和布里渊区、晶体中电子的速度和电流、电场和磁场中的电子和空穴、电导率和霍耳效应的初步理论、能态的分布和半导体的费密—狄拉克统计、电导率和霍耳效应的数学理论，以及晶体管的电子学应用等半导体基本理论，是对1、3部分起到承上启下的作用。第3部分为量子力学基础，共5章，包括引言，阐述了与电路理论分析有关的量子力学基础，电子和空穴速度、电流和加速度理论，半导体的统计力学，以及空穴和电子的跃迁几率理论等，以期用量子力学原理和统计力学深入处理半导体中的电子和空穴问题。本书是在一系列学术报告基础上写成的，具有贝尔电话实验室研究工作的基本特点。作者强调半导体中电子和空穴，特别是空穴的行为，推断并明确解释其在晶体管电子学中的作用。本书对电子工程师、物理学家等提供了实用的理论和晶体管特性及应用的知识。

作者简介

威·肖克利(William Shockley，1910— )，美国物理学家。1932年毕业于加利福尼亚理工学院。1936年获麻省理工学院哲学博士学位。曾多年在贝尔电话实验室从事研究工作。主要从事固体物理、半导体物理等方面的研究，其中1948年2月发明了面结合型晶体二极管和三极管，触发了电子技术的一场革命。并与沃·豪·布拉坦、约·巴丁一起由于对半导体的研究和发现晶体管效应，共同获得1956年诺贝尔物理学奖。主要著作有《半导体中的电子和空穴》等。

工具书

工具书是专供查找知识信息的文献。它系统汇集某方面的资料，按特定方法加以编排，以供需要时查考使用。根据工具书的基本性质和使用功能，可以划分为检索性工具书^[1]和参考性工具书^[2]（美国工具书专家盖茨称其为控制-检索型工具书和资料型工具书，Information:control and access，Sources of information)。另外还可以根据语种、学科内容、规模大小等标准进行划分。

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