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「晶闸管」的修訂歷史
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(目前)
= 與最新的修訂版本比對,
(前筆)
= 與前一筆修訂版本比對,
小
= 次要修訂。
(目前 |
前筆
)
2020年2月3日 (一) 12:26
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(18,582位元組)
(+1)
. .
(
→
结构介绍
)
(
目前
|
前筆
)
2020年2月3日 (一) 12:25
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(18,581位元組)
(+35)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月18日 (一) 09:18
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(18,546位元組)
(+756)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月18日 (一) 09:07
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(17,790位元組)
(0)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月18日 (一) 09:06
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(17,790位元組)
(+394)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月18日 (一) 09:00
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(17,396位元組)
(+4,411)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月18日 (一) 08:15
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(12,985位元組)
(+144)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月17日 (日) 19:45
LBT0930
(
對話
|
貢獻
)
小
. .
(12,841位元組)
(+34)
. .
(added
Category:330 物理學總論
using
HotCat
)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月17日 (日) 19:44
LBT0930
(
對話
|
貢獻
)
. .
(12,807位元組)
(+16)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月17日 (日) 16:57
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(12,791位元組)
(+5,474)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月17日 (日) 15:28
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(7,317位元組)
(+762)
(
目前
| 前筆)
2019年11月17日 (日) 15:24
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(6,555位元組)
(+6,555)
. .
(创建页面,内容为“ '''晶闸管'''又称可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反…”)