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「PN 结」的修訂歷史
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比對選擇的版本差異:選擇要比對修訂版本的單選方塊並點選底部的按鈕進行比對。
符號說明:
(目前)
= 與最新的修訂版本比對,
(前筆)
= 與前一筆修訂版本比對,
小
= 次要修訂。
(目前 |
前筆
)
2019年11月19日 (二) 10:51
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(13,138位元組)
(-12)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月19日 (二) 10:50
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(13,150位元組)
(+341)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月19日 (二) 10:47
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(12,809位元組)
(+1,004)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月19日 (二) 10:25
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(11,805位元組)
(+517)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月19日 (二) 09:43
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(11,288位元組)
(+525)
(
目前
|
前筆
)
2019年11月19日 (二) 09:34
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(10,763位元組)
(+2,581)
(
目前
| 前筆)
2019年11月18日 (一) 09:36
安然
(
對話
|
貢獻
)
. .
(8,182位元組)
(+8,182)
. .
(创建页面,内容为“ '''PN结'''采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它…”)