檢視 N型半导体的原始碼

[[File:N型半导体1.jpg|缩略图|N型半导体[http://www.szyxwkj.com/UploadFiles/FCK/2020-12/6374373281947619353809478.jpg 原图链接][http://www.szyxwkj.com/UploadFiles/FCK/2020-12/6374373281947619353809478.jpg 图片来源优酷网]]]
也称为[[电子型半导体]]。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

'''中文名''':[[N型半导体]]

'''别    名''':[[电子型半导体]]

'''掺杂物''':[[磷]]等Ⅴ族元素

'''载流子''':[[电子]]

==特点== 

半导体中有两种[[载流子]]，即价带中的[[空穴]]和导带中的[[电子]]，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为[[P型半导体]]。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。<ref>[李庆臻．简明自然辩证法词典：山东人民出版社，1986]</ref> 

由于N型半导体中正电荷量与负[[电荷]]量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

==形成原理== 

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于[[锗]]、[[硅]]类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，如ZnO、Ta2O5等，其化学配比往往呈现缺氧，这些[[氧空位]]能表现出施主的作用，因而该类[[氧化物]]通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。 <ref>[冯端．固体物理学大辞典：高等教育出版社，1995]</ref> 

==视频==
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==参考文献==
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