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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>反向电流</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01b7b2a34df340159e.jpg?size=232x323 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/6490402-6704110.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''反向电流'''是指PN结在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管或晶体管的反向电流。 =='''简介'''== 对于二极管反向电流越小,管子的单方向导电[[性能]]越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子[[过热]]而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。 =='''评价'''== 当晶体管的发射极开路时,在集电结反向电压的作用下,基区的少子自由电子和集电区的少子空穴会形成漂移电流,即为集电极与基极之间的反向饱和电流Icbo,也称集电结反向漏电电流。Icbo对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。<ref>[http://news.sohu.com/a/537030477_120472703 反向电流]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:300 科學總論]]
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