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    美国电机工程学家。1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）。美国AT&T公司贝尔实验室半导体研究所所长、教授。
卓以和教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。用研制的新材料，最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。现在又领导AT&TBell实验室半导体研究所的合作者，开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器，被认为是半导体激光器发展中的又一个里程碑。
卓以和教授对我国发展分子束外延技术极为关切，给予了关键性指导；与我国同行建立了深厚友谊，对促进中美两国学术交流，提高我国在国际学术界的地位和影响作出了重要贡献。1996年6月7日当选为中国科学院外籍院士。