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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #008080" align= center| '''<big>光电三极管</big> ''' |- | [[File:0 (8)34567987.jpg|缩略图|居中|[https://pic.baike.soso.com/ugc/baikepic2/17108/20200621074110-88822526_jpeg_641_525_18919.jpg/0 原图链接][https://baike.sogou.com/PicBooklet.v?relateImageGroupIds=&lemmaId=397417&now=https%3A%2F%2Fpic.baike.soso.com%2Fugc%2Fbaikepic2%2F17108%2F20200621074110-88822526_jpeg_641_525_18919.jpg%2F0&type=1#simple_0 来自搜狗的图片]]] |- | style="background: #008080" align= center| |- | align= light| |} 光电三极管也是一种[[晶体管]],它有三个[[电极]]。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。 ==基本内容== 中文名:光电三极管 管 型:NPN型 制作材料:半导体硅 国产器件名称:3DU系列 ==基本内容== 光电三极管工作原理 光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。常见的光电三极管外形如图l所示,文字符号表示为VT或V。 目前的光电三极管是采用[[硅材料]]制作而成的。这是由于[[硅元件]]较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大,发射区面积却做得较小,入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样,入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下,电子被拉向集电区,而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低,其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压,从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入,这就是硅光电三极管的工作原理。<ref>[https://www.docin.com/p-1621906354.html 光电三极管的特性0805014123张晓宇]豆丁网,2016-06-05</ref> =='''参考文献'''== {{Reflist}} [[Category:330 物理學總論]]
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