檢視体效应管的原始碼

{| class="wikitable" align="right"
|-
| style="background: #008080" align= center|  '''<big>体效应管</big> '''
|-
| 
[[File:4bed2e738bd4b31c910459bf83d6277f9e2ff8fe.jpg|缩略图|居中|[https://i01piccdn.sogoucdn.com/ae413be0808ed686 原图链接][https://pic.sogou.com/pics?ie=utf8&p=40230504&interV=kKIOkrELjbgQmLkElbYTkKIMkrELjbkRmLkElbkTkKIRmLkEk78TkKILkbHjMz%20PLEDmK6IPjf19z%2F19z6RLzO1H1qR7zOMTMkjYKKIPjflBz%20cGwOVFj%20lGmTbxFE4ElKJ6wu981qR7zOM%3D_844253275&query=%E9%AB%98%E7%A3%81%E5%AF%BC%E7%8E%87%E6%9D%90%E6%96%99 来自搜狗的图片]]]
|-
| style="background: #008080" align= center|
|-
| align= light|
|}
'''体效应管'''，是利用某些半导体导带的特殊结构，在强电场作用下能产生振荡或放大作用的一种半导体器件。
=='''简介'''==
在这种器件中，当外加电压超过某一阈值时，它的电流随着电压增加反而减小，出现了负阻效应，放大和振荡就是利用其负阻效应产生的。由于这种器件的负阻效应发生在某些 n 型半导体的整个晶片体内，所以称为“体效应管”。是一种重要的固体微波器件。制造体效应管所用的半导体材料主要是砷化镓。体效应管的典型类型是单结晶体管，常用型号BT33等。在n型GaAs外延材料两端加电压时，当外加电压使有源区内电场达到3千伏/厘米后，低能谷中的电子便可以从电场中获得足够的能量，跃迁到高能谷中去。由于高能谷中电子的有效质量增大，由此迁移率降低，平均漂移速度减小，电导下降，产生负阻效应，引起微波振荡，[[震荡]]频率反比与有源层的厚度。
=='''评价'''==
欧姆阴极体结构的效应二极管，即在有源区外生长一层重掺杂层以降低接触电阻，改善欧姆接触性能。此种阴极结构在阴极附近有一个低于阈值电场的正阻耗能区，称为阴极无源区。电场分布向阳极单调增加。在阴极无源区中的电子还没开始跃迁，需要经过相当一段距离的电场加速后，才能获得足够的能量完成谷间的电子转移，在这段区域内不能参与提供功率输出。由于阴极无源区的存在，降低了器件的转换效率。这种由于阴极无源区的存在导致转换效率降低的现象，在有源区相对较短的器件中，如工作于毫米波频段内的器件中表现的尤为突出。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1714299093840163171&wfr=spider&for=pc 体效应管]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==

[[Category:300 科學總論]]