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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #008080" align= center| '''<big>费米能级差</big> ''' |- | [[File:63d9f2d3572c11dfd2052bd56f2762d0f603c274.jpg|缩略图|居中|[https://i01piccdn.sogoucdn.com/ae413be0808ed686 原图链接][https://pic.sogou.com/pics?ie=utf8&p=40230504&interV=kKIOkrELjbgQmLkElbYTkKIMkrELjbkRmLkElbkTkKIRmLkEk78TkKILkbHjMz%20PLEDmK6IPjf19z%2F19z6RLzO1H1qR7zOMTMkjYKKIPjflBz%20cGwOVFj%20lGmTbxFE4ElKJ6wu981qR7zOM%3D_844253275&query=%E9%AB%98%E7%A3%81%E5%AF%BC%E7%8E%87%E6%9D%90%E6%96%99 来自搜狗的图片]]] |- | style="background: #008080" align= center| |- | align= light| |} 所谓'''费米能级差''',其实并不是一个真正的能级,也就是说,在半导体的能带中不一定有这样的能量状态可允许电子去占据,它只不过是决定各能级上电子或空穴统计分布的一个参量,各个能级都以EF为标准,由某能级与EF的相对位置决定了电子在该能级上的分布几率。粗略地讲,凡是费米能级以上的能量状态,基本上是空的,即没有或很少有电子占据这些能级;而在费米能级以下的能量状态则基本上是填满电子的。所以可以说,费米能级差非常直观地反映了半导体中电子填充能带“水平’的高低。
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费米能级差
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