檢視纳米CMOS电路和物理设计的原始碼

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| style="background: #FF2400" align= center|  '''<big>纳米CMOS电路和物理设计</big>'''
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|<center><img src=https://pic.baike.soso.com/ugc/baikepic2/7549/20141119195859-1145590004.jpg/300   width="300"></center>
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《纳米CMOS电路和物理设计》内容简介：新技术的快速发展与纳米级缩小的挑战正促使原先相互分离的电路设计、工艺技术、器件物理和物理实现组合在一起形成一门学科。深刻地理解器件、互连和组装方面包含的物理限制对设计电路系统和器件以及做出合理的技术决定都是非常重要的。《纳米CMOS电路和物理设计》一书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术。这本内容广泛的书探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，如信号完整性和互连：并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括： 纳米CMOS工艺缩小问题及其 对设计的影响 亚波长光刻 运行问题的物理与理论以及 解决方案 可制造性设计和波动性 《纳米COMS电路和物理设计》对集成电路设计者和该领域的专业人员是一本非常有用的书.给他们提供了实际的设计方案和方法。