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{| class="wikitable" align="right" |- |<center><img src=https://p2.itc.cn/q_70/images03/20211031/1ccdf7929c544247b0b1d6c2d2a9ed0e.png width="300"></center> <small>[https://www.sohu.com/a/498343293_121123896 来自 搜狐网 的图片]</small> |} '''多晶硅掺镓铸锭降光衰技术研究'''本项目针对行业内[[太阳能]]级多晶硅片光衰较大、转换效率波动较大的现状,分析研究了当前工艺中存在的问题,通过与国外先进技术对比,明确了技术改良方向,确定了技术目标。通过从硅原料的选择及配比、镓硼共掺比例测算,半熔状况的检查、[[电学]]性能的检测与判定、硅片<ref>[http://news.sohu.com/a/683230995_121124363 硅片:单价创3年新低!],搜狐,2023-06-08</ref>切片及PL测试等方面,制定了详细的实验方案。光衰受硅片中替位硼原子和间隙氧原子形成的亚稳态缺陷影响。
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