檢視半导体禁带宽度的原始碼

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|<center>'''半导体禁带宽度'''<br><img
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'''半导体禁带宽度'''是半导体的一个重要[[特征参量]]，其大小主要决定于半导体的[[能带结构]]，即与[[晶体结构]]<ref>[[晶体结构]]</ref> 和[[原子]]的结合性质等有关。

对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的[[自由电子]]，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的[[能量]]；而原子中的电子是处于所谓分离的[[能级]]状态。[[晶体]]中的电子是处于所谓能带状态，能带是由许多能级组成的，能带与能带之间隔离着禁带，电子就分布在能带中的能级上，禁带是不存在公有化[[运动状态]]的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。[[导带]]底与[[价带]]顶之间的能量差即称为[[禁带宽度]]（或者称为[[带隙]]、[[能隙]]）。

*中文名：[[半导体禁带宽度]]

*外文名:semiconductorenergygap学

*    科:物理常见测量方式霍尔效应、光电导法