檢視半导体发光二极管的原始碼

[[File:U=1982177283,326023929&fm=26&gp=0.jpg|缩略图|半导体发光二极管[https://ss0.bdstatic.com/70cFvHSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1982177283,326023929&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss0.bdstatic.com/70cFvHSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1982177283,326023929&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
半导体发光二极管和[[半导体激光器]]类似，也是一个PN结，也是利用[[外电源]]向PN结注入[[电子]]来发光的。半导体发光二极管记作LED，是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层，以及中间的由双异质结构成的有源层组成。有源层是发光区，其厚度为0.1～0.2μm左右。

'''中文名''':[[半导体发光二极管]]

'''外文名''':[[semiconductor light emittingdiode， LED]]

'''厚    度''':0.1～0.2μm左右

'''时    间''':1923年

'''特    点''':结构简单，体积小，工作电流小

'''应用学科''':[[光纤通信技术]]