檢視 IGBT器件·物理设计与应用的原始碼

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<small>[https://book.kongfz.com/140772/7480865600 来自 孔夫子网 的图片]</small>
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《'''IGBT器件·物理设计与应用'''》，[美] 贾扬.巴利加（B.Jayant Baliga） 著，韩雁，丁扣宝，张世峰 译，出版社： 机械工业出版社。

截至2022年，机械工业出版社年出版新书近2700种，年引进和输出版权总量近800种，产品横跨科技出版、教育出版、大众出版三大板块，覆盖机械、电工电子、[[汽车]]、建筑、计算机、经管、心理<ref>[https://www.sohu.com/a/387427297_768618 谈心理健康教育对学生的重要性 ]，搜狐，2020-04-12</ref>、生活、科普、艺术设计、文创等十多个专业领域，以及高等教育<ref>[https://www.sohu.com/a/440916094_120868911 2020中国高等教育十大关键词]，搜狐，2020-12-28</ref>、[[职业教育]]、技能教育等不同教育层次。

==内容简介==

《IGBT器件:物理、设计与应用》从IGBT发明开始，介绍了IGBT的模型和基本工作原理、各种元胞结构、设计与制造工艺、封装与驱动、安全工作区等，并给出了在多达十几个行业中的具体应用，包括应用电路和参数指标等。本书内容深入浅出，适合电力电子、微电子、功率器件、[[功率]]IC设计与制造领域的研究人员、技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书。

==作者介绍==

B.Jayant Baliga博士，北卡罗来纳州立大学“杰出大学教授”，美国国家工程院院士，IEEE会士。

Baliga教授是国际公认的功率半导体器件领域的专家，发表了500多篇学术文章，拥有120项美国专利。

他在IGBT概念、发展和[[商业]]化方面的工作得到了美国奥巴马总统的认可，获得了2011年美国国家技术创新奖章——这是美国政府授予工程师的高荣誉，以及2014年IEEE荣誉勋章——电气工程领域的高荣誉。

==参考文献==
[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]