巴索夫又一项重要的科学贡献是对半导体激光器的研究。早在第一台激光器问世以前，巴索夫在1959年就提出了半导体激光器的方案。在半导体上加上足够强的脉冲电场，在强电场作用下，大量原子通过碰撞而被电离，导带中的电子数及价带中的空穴数均急剧增多。当电场撤去后，在一定条件下，可以产生粒子数反转状态。1961年，巴索夫又提出p-n结注入式激光器的原理，发表于苏联《实验与理论物理》杂志上。他还导出了产生受激发射的条件。据此，好几个研究组在1962年先后制成了半导体激光器。巴索夫用砷化镓（GaAs）在77K下获得近红外光的受激辐射。这种类型的激光器后来得到不断的完善，改进了结构，降低了阈值电流，提高了效率，压缩了激光线宽，特别是使其能在室温下工作。到了70年代后期，已逐渐形成了在应用上大发展的局面。成为当前应用最广的一种半导体激光器。

巴索夫还致力于寻求新的原理与途径以产生大功率激光。从1962年起，他和他的合作者在化学激光器方面进行了深入研究，制成大功率脉冲和连续的氟化氢化学激光器、大功率纳秒脉冲光解离碘激光器、用电离的新型高气压气体激光器和准分子激光器。他们在信息的光学处理方法、激光稳频、激光频标、激光诱发化学反应、金属表面的激光涂层与固化等方面都有重要工作。在非线性光学方面，产生激波的爆发性化学激光器方面，巴索夫都起到了先驱者的作用。

==參考資料==