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亚・普罗霍罗夫

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普罗霍罗夫研究历程
巴索夫又一项重要的科学贡献是对半导体激光器的研究。早在第一台激光器问世以前,巴索夫在1959年就提出了半导体激光器的方案。在半导体上加上足够强的脉冲电场,在强电场作用下,大量原子通过碰撞而被电离,导带中的电子数及价带中的空穴数均急剧增多。当电场撤去后,在一定条件下,可以产生粒子数反转状态。1961年,巴索夫又提出p-n结注入式激光器的原理,发表于苏联《实验与理论物理》杂志上。他还导出了产生受激发射的条件。据此,好几个研究组在1962年先后制成了半导体激光器。巴索夫用砷化镓(GaAs)在77K下获得近红外光的受激辐射。这种类型的激光器后来得到不断的完善,改进了结构,降低了阈值电流,提高了效率,压缩了激光线宽,特别是使其能在室温下工作。到了70年代后期,已逐渐形成了在应用上大发展的局面。成为当前应用最广的一种半导体激光器。
巴索夫倡导激光引发热核聚变,在1962年苏联科学院主席团会议上,以及在1963年 [[ 巴黎 ]] 国际量子电子学大会上,他都提出了这个建议。他一方面研制大功率的激光器和研究靶技术;另一方面深入了解产生这种效应的物理条件。1968年,实现了用强激光照射氘化锂(LiD)靶,首次发现从靶中产生出了中子。
巴索夫还致力于寻求新的原理与途径以产生大功率激光。从1962年起,他和他的合作者在化学激光器方面进行了深入研究,制成大功率脉冲和连续的氟化氢化学激光器、大功率纳秒脉冲光解离碘激光器、用电离的新型高气压气体激光器和准分子激光器。他们在信息的光学处理方法、激光稳频、激光频标、激光诱发化学反应、金属表面的激光涂层与固化等方面都有重要工作。在非线性光学方面,产生激波的爆发性化学激光器方面,巴索夫都起到了先驱者的作用。
 
==參考資料==
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