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| 王守武 | |
|---|---|
| 出生 | 1919年03月15日 |
| 国籍 | 中国 |
| 职业 | 教学科研工作者 |
| 知名于 | 1980年当选中国科学院院士 |
| 知名作品 | 《半导体的电子生伏打效应的理论》 |
王守武（1919年3月15日-2014年7月30日），江苏苏州人，半导体器件物理学家、微电子学家，中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。 1941年王守武毕业于上海同济大学，1945年赴美留学，1949年获美国普渡大学博士研究生学位，1950年回国后先后任中国科学院应用物理所半导体研究室室主任；中国科学院半导体研究所副所长；中国科学院109厂厂长；中国科学院微电子中心名誉主任等职；1979年获全国劳动模范称号；1980年当选为中国科学院院士 。 王守武主持研制成功中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路，在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。在中国科技大学兼职授课20余年，培养了一批物理学家和半导体技术专家。1979年和1981年获中国科学院科研成果一等奖；1985年两次、1990年获中科院科技进步奖二等奖；1987年获国家科技进步奖二等奖。 [1]
人物生平
1919年3月15日，王守武出生于江苏省苏州市东山镇，孩童时代常被疟疾纠缠，身体状况不好，智力也一度受到影响。上学后，经常性的病休，持续不断的自学磨练，使王守武从小就养成了寡言、内向的性格，和善于独立思考的习惯。
1923年，在他4岁时，父亲赴上海与他人合股开办机械厂，家人也随之迁居。不到两年，工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺，这培养和磨练他的动手能力。他喜爱数学的父亲工作之余，常给子女们讲些趣味数学，或出一些智力测验题让孩子们回答，王守武随哥姐们听父亲讲过如何求圆周率π的问题，他虽听不懂，但“π”这个无理数的特性，却一直印在他的脑海之中。
1930年，在上海私立民智中小学读书的王守武在《民智》第11期“男生专号”上刊登了短文《我们现在和将来的责任》。
1934年，父亲自北平中央研究院工程研究所退休后返回上海，因留恋故乡情，举家又迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。
1935年，王守武考入同济大学预科，次年进入工学院电工机械系学习。在同济大学，王守武各门功课的学习都十分顺利，成绩优异。
1937年，日本帝国主义全面发动侵华战争，战火很快烧到上海，8月，日机接连轰炸吴淞地区，同济大学的建筑均遭破坏。学校被迫从吴淞迁到上海公共租界，不久上海战事日益激烈，此后学校几度搬迁。由于故乡苏州沦陷，王守武一度与逃难中的父母失去联系。因为不知道何时才能和家里联系上，他只能把手里的钱省着用，吃饭通常是在街边人力车夫和底层老百姓吃饭的小摊上。1941年春，同济大学已第六次迁校至四川宜宾的李庄镇。在颠沛流离的迁校过程中，王守武结束了大学学习。
1941年春天，王守武在昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后，就近在昆明入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了公务员。一年后又入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。经过实践，讷于言表的王守武自感不适合从事工厂管理工作，便申请重回母校，在已迁往四川李庄的同济大学任教。
1945年10月王守武负笈远行，横渡大洋，入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学，导师R. M. Sturm，翌年6月荣获硕士学位。王守武各门功课优异，尤以数学成绩最好，受到老师和同学们的赞赏。校方为鼓励王守武继续深造，资助他攻读博士学位。这时，正在兴起的量子力学引起了王守武的兴趣，便从工程力学转向对微观粒子运动规律的研究，导师H. M. James。两年后王守武完成了题为《一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法》的论文，获得了博士学位。后经普渡大学工程力学系主任的敦聘，留校执教。这时他与同在普渡大学留学的葛修怀女士组成了温馨的家庭，过着宁静、舒适的生活。
1950年6月25日朝鲜战争爆发。王守武借“回乡侍奉孤寡母亲”为由，向美国当局递交了回国申请。获得批准后，经印度驻美使馆的协助，很快就办完了离美手续。夫妇二人携不满周岁的女儿于同年10月离开美国，回归故里。
1950年底王守武刚刚踏上祖国大地，上级就十分信赖地交给他一项紧急任务：为在抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标，让祖国“最可爱的人”在朝鲜前线既可夜里行车，又不致被敌机发现，免遭轰炸。报国心切的王守武，立即在他任职的应用物理研究所，组织科研人员设计与制作。他依据光线在锥体表面定向反射的原理，使特殊设计的车灯光线在路标上的反射光只能定向地射到司机的眼里，避免了敌机发现的可能性。设计制作完成后，进行了实地试验，圆满完成了任务。
1951年5月西藏和平解放后，当地政府发现藏民生活用燃料奇缺，能源不足，但高原阳光充足，便向中国科学院提出了为之设计制造太阳灶的请求。受命主持此项设计任务的王守武，考虑到制造一个大面积的抛物形反射镜加工有困难，决定改用多个窄圆锥形反射面组成的反射系统，用调整每个圆锥面斜度的方法，使平行于主轴方向的光线，都反射到太阳灶的中心。设计制作成功后，用它可以在15分钟内把一壶水烧开。这种太阳灶，在青藏高原长时期地发挥过它的作用。
1953年春中国科学院派员赴苏联考察，了解苏联科学研究工作的进展情况。访苏代表团回国后，报告了苏联在半导体科学技术上的巨大成就，以及飞速进展的情况。这一信息，使我国的科学工作者，特别是物理学工作者，进一步认识到半导体科学技术在社会主义建设事业中的重要性，应当大力推动这方面的工作。为此中国物理学会常务理事会决定，在1955年1月底召开一次全国性的半导体物理学讨论会。
1954年作为讨论会筹备组成员的王守武为了推动中国电子技术跟上时代的发展，他与同期归国的黄昆、洪朝生、汤定元等专家一起合作翻译了苏联半导体权威学者A．F. 约飞写的《近代物理学中的半导体》一书，于1955年由科学出版社出版。1955年黄昆在北京大学物理系开设了《半导体物理学》的课程，这一新兴课程也由他们四人合作讲授。1956年1月这四位专家与后期回国的专家一起在物理学会年会上对“半导体”做了多方面的介绍，希望引起有关方面的重视。王守武的报告题目是：《半导体整流器》与《半导体的电子生伏打效应的理论》。
这期间作为半导体科学的开拓工作，王守武开展了硒与氧化亚铜整流器的制作条件与性能研究，并从理论上分析了有关半导体整流器的一些性能。其研究成果相继在中国《物理学报》上发表。
1956年，是王守武科学研究工作中的一个关键的转折点。因为在这一年，王守武应邀到京西宾馆参加由周恩来总理主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展，被列为四大紧急措施之一。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到半导体的研究工作中来，组成了中国科学院应用物理所中中国第一个半导体研究室。
根据当时国外文献的报道，锗是制作晶体管最现实的材料。目标明确之后，在他与同事吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京工学院等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制成功了我国第一根锗单晶；1958年8月，负责器件组工作的王守觉副研究员从苏联学习归来，引来了合金扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。作为研究室主任的王守武，在参与研制锗高频合金扩散管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并具体解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的跳硅难题。
1957年林兰英回国，王守武亲自到她所住的宾馆去动员她来半导体工作组工作，任材料研究组组长，具体实施了硅单晶的拉制方案。经王守武与林兰英的共同努力，使得我国第一根硅单晶于1958年7月问世。为了促进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了我国最早的一家生产晶体管的工厂——中国科学院109工厂，从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，组织全厂人员奋战，到1959年底，为研制109乙型计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管，完成了该机所需的器件生产
1956年是王守武科学研究工作中的一个转折点，人生旅途中的一个关键时代。因为在这一年，王守武应邀参加了“全国十二年科学技术发展远景规划”讨论会。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展被列为四大紧急措施之一，是抓紧实施的重点。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究工作两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到“半导体”的研究工作中来。刚过而立之年的王守武，在团中央礼堂，在北京图书馆广场，在天津，在上海，在大江南北……，搞演讲，举办报告会，大力普及半导体科学知识，热情宣传“半导体”科学的广阔未来。
在应用物理研究所王守武以电学研究组成员为主要对象，举办了半导体专业培训班，继而组建了中国第一个半导体研究室，担当了研究室的主任。
根据当时国外文献的报道，锗是当时制作晶体管最为现实的材料。目标明确之后，在他与后来回国的吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京大学、武汉大学等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉，并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶；同年11月底到次年初王守武与同事合作，研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术，能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了能自主生产不同器件的要求。
1958年8月领导器件组工作的王守觉从苏联学习归来，引来了半导体“合金”加“扩散”的双重工艺，促使晶体管的研制在提高工作频率方面产生飞跃，加速了中国第一批锗高频合金扩散晶体管的研制。
作为研究室主任的王守武在参与研制锗高频合金扩散晶体管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并亲自解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的“跳硅”难题。
1957年春林兰英教授自美国归来，被任命为半导体研究室材料研究组组长。在她的领导下，重新设计制作拉制硅单晶的炉子。经王守武与林兰英的共同努力，采用林兰英从国外带回的硅单晶做籽晶引向，1958年7月中国第一根硅单晶问世。
为了促进我国由电子管型转向晶体管型的第二代电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了中国最早的生产晶体管的工厂——中国科学院109厂。工厂刚一成立，立即开展锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，他组织全厂人员奋战，到1959年底为研制109乙型计算机的计算技术研究所提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管，完成了该机所需的半导体器件的生产任务，及时为两弹一星任务提供了技术保证。
1960年4月王守武受命筹建中国科学院半导体研究所，任筹委会副主任。1960年9月6日，在原应用物理研究所半导体研究室的基础上半导体研究所正式成立，王守武被任命为首任业务副所长，负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建工作。1962年王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。
1960年2月王守武加入了中国共产党。
科学在不断发展，半导体学科的分支也在不断地拓展，1962年美国宣布用砷化镓半导体材料制成第一只半导体激光器，在世界上产生了很大的影响。这类器件在体积、重量和发光效率等方面，均比其它激光器优越，其应用前景也广泛得多。远见卓识的王守武，便于1963年组建了激光器研究室，并兼任该研究室主任。当时半导体所的材料研究室在林兰英研究员的领导下，研制成功了砷化镓单晶材料，故可着手从事半导体砷化镓激光器的研制。在当时实验室的条件下，用X射线来对单晶体进行定向比较困难，王守武创新了一种光学定向的新方法，大大加快了研制工作的进程，提高了各项工艺的成品率。在王守武的领导下，研究室于1964年元旦前夕研制成功了中国第一只半导体激光器。
此后，为了把这些科研成果迅速推广到实际应用中去，王守武除了继续从事研制新品种激光器外，还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。事隔不久，中国第一台激光通讯机就诞生了，它可以在无连线的情况下，保密通话达3公里以上。为了提高激光测距仪的可测距离，王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路，装上这个电路后，可以使激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果，填补了国内空白，有力地支援了国家现代化建设和国民经济建设。
正当王守武为发展我国半导体科学事业大显身手、全力以赴地奉献自己的聪明才智时，“文化大革命”开始了。王守武虽然处于被监督劳动的屈辱境地，但他对所从事的科学事业毫不忘情。在解除了领导职务的情况下，他留在研究室帮助改革工具，修理仪器。为了弥补激光器件研究室缺少分析激光特性手段的缺陷，他设计研制成功了激光发散角分布测试仪。
1968年春当时的科委领导点名要王守武紧急完成一项从越南战场运回的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了前往西安的航程。“文革”后期周恩来总理提出“要重视基础理论研究”的号召。王守武面对半导体所的基础理论研究队伍已受到“文革”严重摧残的困难局面，积极行动起来，着手基础理论的研究工作，开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩弛豫振荡的深入研究。依据这项工作写成的论文，1975年在美国物理学会年会上宣读后，得到国外同行的好评，并在当年的《中国科学》杂志上发表。在这基础上他开始用计算机模拟技术，对耿氏器件中高场畴的动力学进行分析研究，取得了系列成果，发表了多篇论文。 1978年10月中国科学院主要领导同志将王守武请到办公室，要他出马，改变现状，全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究。
王守武从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查，详尽地订出各自的操作规程。他先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手，以检验工艺流程的稳定性和可靠性。当其成品率达到97%以上时，王守武才让投片试制4千位动态随机存储器。1979年9月28日，这种集成电路的批量成品率达20%以上，最高的达40%，为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。这一研制成果获得了中科院1979年科研成果一等奖。1980~1981年在王守武和林兰英的亲自指导下，又研制成功了16千位的大规模集成电路。这一重要成果荣获中科院1981年科研成果一等奖。
1973年起，领导研究半导体激光器中的高场畴动力学和畴雪崩现象。1978年起领导研制半导体大规模集成电路及其工艺研究。
1979年底他荣获全国劳动模范的光荣称号。
1980年刚刚过完春节，上级要王守武去中国科学院109厂兼任厂长职务，开展4千位大规模集成电路的推广工作，从事提高成品率、降低成本的集成电路大生产实验。王守武一到109厂，就高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案，用很少的资金、不太长的时间，就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。中科院109厂的这条年产上百万块中、大规模集成电路的生产线，就这样在王守武的精心操持下宣布建成，其产品亦随之进入市场，并接受了众多用户的考验。1985年国内上百名专家齐集一堂，对王守武主持设计并建成的集成电路大生产实验线及其成果进行了技术鉴定。这一成果于1985年获中科院科技进步二等奖。
在用原有国产设备进行大生产实验的同时，王守武还领导并参与了另一条引进现代化集成电路中试生产线的建设。1988年这条生产线通过了国家计委、国家科委、电子工业部、北京市、中国科学院等有关部门的领导和国内著名专家的验收，并于1990年获中科院科技进步二等奖。
在王守武的倡议下，1986年1月上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马合并到109厂，组建中科院“微电子中心”。年事已高的王守武被任命为该中心的终身名誉主任。王守武自此离开现职，专事于学术研究工作。
1949年2月～1950年8月在普渡大学任教。1950年10月经香港入深圳回国。自同年11月起应聘在中科院应用物理研究所工作。1960年受命筹建中国科学院半导体研究所，任筹委会副主任。
1960年9月中国科学院半导体研究所成立，任首任主管业务的副所长。1960～1983年任中国科学院半导体研究所研究员、副所长。1980年3月～1985年12月兼任中科院109厂厂长。1980年当选为中科院学部委员（院士），开始任《半导体学报》主编。1956-1957年间，任清华大学无线电系半导体教研室主任。
主要成就
科学研究研制成功中国第一只锗合金扩散晶体管1957年在王守武和吴锡九的组织领导下，在中国科学院应用物理研究所半导体研究室开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉，拉制成功了中国第一根锗单晶。研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。1958年在中国科学院109厂组织开展了锗高频晶体管的批量生产。到1959年底，为研制109乙型计算机的计算技术研究所，提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管，完成了该机所需的半导体器件的生产任务，及时为两弹一星任务提供了技术保证。
成立全国半导体测试中心
1962年锗、硅半导体材料和器件的生产在全国蓬勃发展起来，但是材料与器件质量的检测手段远不能适应客观需要。王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。他领导并参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法的研究，建立了相应的标准测试系统。他创造性地提出了一种用触针分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子寿命的新方法。测试中心建成后，经过全国评比，确立了它在国内的权威地位，并随之承担起了全国半导体材料与器件的参数测试中的仲裁任务。
研制成功中国第一只半导体激光器
王守武于1963年在半导体所组建了激光器研究室，并兼任该研究室主任。王守武创新了一种砷化镓光学定向的新方法，大大加快了研制工作的进程，提高了各项工艺的成品率。在王守武的组织领导下，研究室于1964年元旦前夕，研制成功了我国第一只半导体激光器，仅比美国晚了2年。王守武还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。我国第一台激光通讯机可以在无连线的情况下，保密通话达3公里以上。王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路，使得激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果填补了国内空白，有力地支援了现代化建设和国民经济建设。
研制4K与16K位的DRAM大规模集成电路
1978年根据国家的重大需求，王守武承担了4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研制任务。他从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查；对所用的仪器设备，一件件、一台台地认真检修、改造和革新；对所用超纯水、试剂、超纯气体、光刻胶、超微粒干版、版基玻璃等基础材料，都一一进行认真测试，使之达到所需的质量标准。1979年9月28日，经过投片，这种集成电路的批量成品率达20%以上，最高的达40%，为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。此后一年内，又研制出16千位的MOS随机存储器大规模集成电路。
改建109厂，建成大规模集成电路生产线
1980年王守武兼任了中国科学院109厂厂长，承担了将4千位大规模集成电路的扩大生产工作。王守武高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案，还用很大精力抓原有生产线的技术改造。他组织有关人员重新改造了通风、排气系统，完善了其他一些工艺设施。用很少的资金，不太长的时间，就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。工厂改造以后，以一个电视机用的集成电路品种进行流片试生产，一次就取得了芯片成品率达50%以上的可喜成果。这是我国第一条靠自己力量建立的年产上百万块中、大规模集成电路的生产线。
基础研究方面
除了完成国家任务以外，王守武还指导和亲自动手做了许多半导体器件和器件物理方面的基础研究工作，其代表性的有：
在半导体性能测试方面，提出如：用触针下分布电阻的光电导衰减来测量半导体中少数载流子寿命的方法，用双脉冲法测量锗、硅材料寿命方法，超高频频段内晶体管频率特性的测量方法等。
半导体异质结激光器性质的研究，如：AlGaAs/GaAs双异质结激光器低温负阻的研究，双异质结激光器的张弛振荡、本征自脉动和正弦调制行为等。
平面Gunn器件的研究，如：Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡的研究，对Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟，平面Gunn器件中静止畴的形成和转变的实验和计算机模拟等。
PNPN结构器件的研究，如：低阈值GaAs/AlGaAs PNPN负阻激光器，GaAs/AlGaAs PNPN激光器的自振荡频率特性，GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器的光开关、光双稳特性，半导体双稳激光器的稳定性分析， GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究等。
器件物理和器件设计的计算机模拟，如：用计算机模拟技术研究薄膜SOI结构中各部分的电势分布和载流子分布，双层多晶硅电极间隙势垒的两维数值模拟等。
论文著作
王守武. 1956. 半导体的电子生伏打效应的理论. 物理学报, 12(1): 66.
王守武. 1958. 关于p-n合金结中少数载流子的注射理论. 物理学报, 14(1): 82.
王守武. 1963. 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命. 物理学报, 19(3): 176.
王守武, 庄蔚华, 彭怀德, 庄婉如等. 1965. 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性. 物理学报, 21(5): 1077.
王守武, 郑一阳, 刘朝中. 1975. 平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡. 中国科学, (6): 577.
王守武, 吴荣汉, 朱其高, 张权生, 李照银, 田慧良. 1979. 低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器. 电子学报, (3): 35.
王守武, 潘国雄, 王重云. 1980. Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟. 半导体学报, 1(3): 204.
王守武, 顾纯学, 王仲明, 庄婉如, 杨培生. 1982. (AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究. 半导体学报, 3(5): 366.
Wang S W, Wu R H, Zhu Q G, Zhang Q S, Li Z Y, Tian H L. 1982. GaAs/GaAlAs p-n-p-n negative-resistance laser with low threshold current density. IEEE Proc, 129 I (6): 306.
王守武，郑一阳，郗小林，潘国雄，张进昌. 1983. 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变. 半导体学报, 4(5): 422.
Wang S W, Zhang Q S, Li Z Y, Wu R H. 1985. Self-oscillation frequency characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pn laser. IEEE Proc, 132 (1)
王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱. 1985. SOI结构中的薄体效应. 半导体学报, 6(3): 225.
王守武, 何乃明, 夏永伟. 1985. 双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析. 半导体学报, 6(4): 393.
王守武, 王仲明. 1985. 双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为. 半导体学报, 6(6): 590.
王守武, 吴荣汉, 张权生, 洪 坚, 李照银. 1986. GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性. 半导体学报, 7(2): 147.
Wang S W, Wu R H, Zhang Q S, Hu D X. 1987. Optical bistability in a pnpn GaAs/GaAlAs laser diode. Solid-State Electronics, 30(1): 53.
Wang S W, Zhang Y Y, Xi X L, Zhang J C. 1987. Computer simulation and experimental observation of the transformation between stationary and transit domains in a gunn device. Modeling, Simulation & Control A AMSE Press, 9(3): 1.
Wang S W, Wang C M, Lin S M. 1987. Stability analysis of semiconductor bistable lasers. IEEE J. Quantum Electron, 23(6): 1933.
王守武. 1987. 大规模集成电路和短沟道效应. 物理, 16(5): 257.
王守武. 半导体器件研究与进展. 第一册. 北京：科学出版社.
人才培养
1958年由中国科学院院长郭沫若任校长的中国科技大学成立，王守武被聘任该校物理系（二系）副主任和半导体专业的主任，并为高年级学生讲授半导体物理（Ⅱ）课程，直到1980年止。这期间学校半导体专业的教学内容和科研方向都由王守武安排和制订，包括安排学生去半导体研究所实习和做毕业论文。他的辛劳已结出丰硕的果实，他的学生不少现已成为半导体科技领域中的栋梁人才。
社会任职
1963年-1982年 中国物理学会常务理事
1978年- 中国电子学会半导体与集成技术专业分会主任委员
1978年-2014年 中国电子学会理事、常务理事
1980年-2014年 《半导体学报》主编
1983年 国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长
1986年1月 由109厂为主组建的“中科院微电子中心”名誉主任
1997年-2014年 美国《硅谷》杂志总编
获奖记录
1979年因4千位MOS动态随机存贮器的研制成功，“N沟MOS4096×1位动态随机存贮器提高管芯成品率的研究”，获1980年中国科学院科技成果奖一等奖，1980年因“16K位MOS动态随机存贮器”的研制成功，获中国科学院重大科技成果奖一等奖，1985年因建集成电路大生产工艺试验线成功，“集成电路大生产试验”获中国科学院科技进步奖二等奖，因参与指导“半导体双稳态激光器的研究”获中国科学院科技进步奖二等奖，1987年因参与“世界新技术革命和我国的对策”研究获1987年国家科技进步奖二等奖，1990年因主持建成“集成电路中试生产线”获中科院科技进步二等奖。
个人生活
1919年，王守武出生于苏州名门望族东山莫釐王氏，祖父王颂蔚是晚清著名历史学家、文学家，他崇尚实学，祖母谢长达是著名的苏州女权运动先驱，曾组织成立放足会，宣传妇女解放、女子独立，与人筹资创办振华女校。
王守武的父辈个个学有所长，几乎都是中国近代科学初期的开创性人物。伯父王季烈是清末民初物理教育家，翻译编写了多部理科教材，是用“物理”来翻译西文physics一词的最早倡导者；叔叔王季点毕业于东京工业学院应用化学科，热心于“实业救国”，曾创办火柴公司及北京玉泉酿酒公司等企业，自任董事长，参与技术指导；叔叔王季绪是我国最早的机械工程专家之一，先后执教于北京大学、北平工业学院等，曾任北洋大学工学院代理院长；王守武的姑姑们也都接受过现代教育，她们或留学日本、美国，或考入清华大学等名校就读。姑妈王季茝1918年在美国芝加哥大学获得博士学位，是第一位华人女博士。
在家庭教育上，王守武受父亲王季同的影响很大。父亲王季同在机械工程和数学方面造诣很高，曾赴英国任清政府驻欧洲留学生监督署随员，到英吉利电器公司和德国西门子电机厂研究实习，是迄今所知中国学者最早在国际学术刊物上发表现代数学论文的人，曾参与中央研究院筹备工作，后任工程研究所专任研究员至退休。
王守武至今还记得父亲当年曾讲述如何求圆周率π、自然对数及对数的底等问题。王季同曾经从旧货摊上买来一台旧的手摇计算机，他给孩子们演示怎样用它来进行计算，诸如怎样把自然对数的底e算出来。王家子女大都天资聪颖早慧，当王季同出智力测验题目，哥哥姐姐们常会争先回答，而王守武从小体弱多病，不爱活动，也不爱说话，那时在哥哥姐姐眼中，他是个木讷的弟弟。实际上，数学的种子已深埋在这个“笨小孩”的心中，上中学时，王守武就完成了关于圆周率π的一篇数学论文。
王家备有各种机械加工工具和材料，孩子们在一起配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器、连接简易电路、制作电磁铁等等。在这样的家族氛围中，王家子女后来也都大有成就。王守武的兄弟姐妹共12人，早逝5人，长成7人。除王守武和王守觉这两位中科院院士外，他们中有我国妇产科学奠基人之一、与林巧稚齐名、有“南王北林”之誉的留美医学博士王淑贞；有1928年获哥伦比亚大学哲学博士学位、中国第一位研究量子力学并卓有成就的学者王守竞；有我国著名的也是最早的女物理学家之一、清华大学第一位女教授王明贞……
获博士学位前，1948年5月，王守武与同窗三载的葛修怀女士结为伉俪。婚后，中国留学生便常来王家相聚，当时在普渡留学的邓稼先便是王守武家的常客之一。总部设在芝加哥的中国留美科学工作者协会在普渡设立了分会，邓稼先是普渡分会的干事之一，王守武也因此参加了留美科协的活动。
人物评价
在中国半导体学界享有崇高威望的半导体物理学家、微电子学家的王守武，把发展中国半导体科学事业视为已任，兢兢业业为之奋斗了一生。
他远见卓识，富于开拓精神，勇于以 发展国民经济、增强综合国力为出发点，开拓新领域，夺取新成果；他对工作十分认真，一丝不苟，重视实践，讲究实效，严格按科学规律办事；他为人忠厚、诚实，待人温情、谦和；他作风民主，平易近人，无论是在学术讨论中，或做其他工作时，总是谦虚谨慎，平等待人，谈泊名利。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。
王守武先生虚怀若谷，克己奉公，严于律己，宽厚待人，对党、对国家、对人民无限忠诚。他用无私奉献谱写了精彩人生，为我们树立了光辉榜样。他的一生是为科学事业不懈奋斗的一生，他的逝世是科学界的一大损失。
王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。
人物影响
2006年11月起，王守武夫妻捐资40000元在湖北省鄂州市的泽林高中设立“英才奖学金”，专门奖励成绩优异、家境贫困的学子。