曹則賢 編輯 男，1966年3月出生，中國科學院物理所研究員，博士生導師，課題組長。 1987年畢業於中國科技大學物理系，1997年獲德國凱澤斯勞滕大學物理學博士學位。 中文名 曹則賢 國 籍 中國 出生日期 1966年3月 職 業 科學家 畢業院校 中國科技大學 主要成就 科技部「973」納米材料項目首席科學家 目錄 1 人物經歷 2 社會任職 3 研究方向 4 主要成果 ▪ 科學研究 ▪ 學術論著 人物經歷編輯 1982年考入中國科技大學物理系，1987年畢業於中國科技大學物理系。 1992年進入德國凱澤斯勞滕大學物理學專業學習，1997年獲博士學位。 1997－1998，在德國 IFOS 研究所進行博士後工作。 1998年入選中科院「百人計劃」 [1] 。 社會任職編輯 現任中國科學院物理所研究員，博士生導師，課題組長，《物理》雜誌專欄撰稿人, 科技部「973」納米材料項目首席科學家，英國物理學會亞太網科學顧問，中國科技大學物理系等校兼職教授。 [2] 研究方向編輯 薄膜的生長與機理；新材料探索；表面的電子能譜掃描探針譜分析；固體表面的原子過程與修飾；納米結構發光與器件；脈衝電子束薄膜沉積技術，微結構與量子力學。 目前從事工作包括 複合納米硅體系的發光；寬禁帶化合物半導體設計；SiC外延薄膜生長；貴金屬氮化物熱穩定性設計與合成；應力驅動微結構的自組織；微重力現象等。 主要成果編輯 科學研究 長期從事低能離子同固體表面的相互作用，薄膜生長機理和表面電子譜學與掃描探針譜學方面的研究以及超硬透明導電材料探索。 首次給出離子轟擊誘導深度輪廓的演化方程，發展了一套俄歇譜濺射深度輪廓技術。 系統研究了（等）離子束輔助生長參數對輕元素化合物薄膜生長過程和性質的影響，在寬禁帶半導體材料如 SiCN，AlCN，BCN的設計方面獲得一批成果。 率先實現了納米硅複合薄膜體系的可見光全譜發光，目前已把納米硅顆粒的尺寸和密度都推至物理極限，最小波長為428nm，外量子效率超過3%，衰減時間小於納秒。 自行設計研製了多功能UHV鍍膜系統，電子迴旋共振波等離子體薄膜生長系統和脈衝電子束薄膜沉積系統。利用曲面上應力驅動自組織首次在微觀世界裡實現Fibonacci Spiral Patterns，並實現了手性的控制。在貴金屬氮化物薄膜中首次發現微米級五次對稱的浮雕式形貌，並獲得了在200K溫區內為零的電阻溫度係數。 學術論著 在PRL，APL， PNAS，Science等國際重要雜誌上撰寫研究論文60餘篇。 另撰寫中文物理學教育/隨感50多篇,英文專著章節2個。 現在在《物理》雜誌開設「物理學咬文嚼字」專欄。 開設過系列講座「經典力學－從思想起源到現代進展」和「一個初學者關於量子力學的思考」。