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PN 结
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=='''发展过程'''==
1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料，1940年，用真空熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结，发现了Si中杂质元素的分凝现象，以及施主和受主杂质的补偿作用。[13]
=='''形成原理'''==
[[File:5666c3d4498ed8a42946086f.jpg|缩略图|250px|[https://image.so.com/view?q=PN%E7%BB%93%E7%AC%A6%E5%8F%B7&src=srp&correct=PN%E7%BB%93%E7%AC%A6%E5%8F%B7&ancestor=list&cmsid=70aae8d63c9744160b85be0fd0169da0&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=0&fsn=60&adstar=0&clw=246#id=5a6f0ef191b69bd6f3e3cbd084df3e24&currsn=0&ps=58&pc=58 原图链接][https://www.so.com/s?src=lm&ls=s112c46189d&q=PN%E7%BB%93%E7%AC%A6%E5%8F%B7&lmsid=090807a85af914f2&lm_extend=ctype%3A3%7Clmbid%3A0 图片来源于360搜索网]]]
===杂质半导体===
=='''主要特性'''==
[[File: 王振耀Fda0b3fa6ba76ee09cc5643d4a92ac14.jpgpng|缩略图|居中|250px|[httphttps://pic8image.nipicso.com/20100621/2163148_003328533247_2.jpg view?q=PN%E7%BB%93&src=tab_www&correct=PN%E7%BB%93&ancestor=list&cmsid=a03f828b65deefeb715f118a8c7be0bd&cmran=0&cmras=0&cn=0&gn=0&kn=12&fsn=83&adstar=0&clw=246#id=dac5b40633dbad25cf50ed76d80fd166&currsn=0&ps=62&pc=62 原图链接][http://www.nipiceepw.com.cn/showarticle/3317755275373.html htm 图片来源于 呢图 电子产品世界 网]]]
===单向导电性===
=='''制造工艺'''==
[[File: 王振耀20079249504326337.jpg|缩略图|居中|250px|[httphttps://pic8image.nipicso.com/20100621/2163148_003328533247_2.jpg view?q=PN%E7%BB%93&src=tab_www&correct=PN%E7%BB%93&ancestor=list&cmsid=a03f828b65deefeb715f118a8c7be0bd&cmran=0&cmras=0&cn=0&gn=0&kn=12&fsn=83&adstar=0&clw=246#id=33d6bd6c1c7136b6bf706f3e939b6631&prevsn=0&currsn=83&ps=122&pc=60 原图链接][http://www.nipicca800.com/showbiz/3317755d_1_1nrusru51dgaj.html 图片来源于 呢图 中国自动化 网]]]
PN结是构成各种半导体器件的基础。制造PN结的方法有：合金法、扩散法、离子注入法、外延生长法，制造异质结通常采用外延生长法。