''' 翁红明的主要研究成果包括 ：1 ：''' 1 、发展并开发了新型计算方法和软件包：负责研发了基于Wannier函数的拓扑物性计算方法和Gutzwiller计算方法，大幅提高了计算效率，为后续的研究工作奠定了基础 。2 。 2 、拓扑半金属研究：与合作者一起，将能带拓扑理论从绝缘体推广到金属，成功预言了多种拓扑半金属材料，使得相关实验研究成为可能。（a）狄拉克半金属Na3Bi和Cd3As2的理论预言和实验发现；（b）磁性外尔半金属HgCr2Se4的理论预言；（c）非磁性外尔半金属TaAs家族的理论预言和实验发现；（d）拓扑节点线半金属的理论预言；（e）无质量三重简并点半金属的理论预言和实验验证；（f）磁性外尔半金属CoSn2S2的理论预言和实验验证。3、新型拓扑绝缘体研究：利用第一性原理计算和电子结构计算数据库，依据能带拓扑理论，成功预言了多个新型拓扑绝缘体，为拓扑绝缘体的实验研究和应用开发提供了关键的必不可少的材料基础。（a）理论预言并跟实验合作发现了大能隙二维拓扑绝缘体ZrTe5和HfTe5；（b）把拓扑绝缘体研究扩展到了强关联电子系统领域，预言了首个强关联“拓扑晶体绝缘体”YbB12；（c）理论预言反LiFeAs结构家族材料可能是二维拓扑绝缘体；（d）利用高通量计算，建立拓扑材料分类数据库 。