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迈斯纳效应

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'''迈斯纳效应'''是超导体从一般状态相变至超导态的过程中对磁场的排斥现象,于1933年时被瓦尔特·迈斯纳与罗伯特·奥克森菲尔德在量度超导锡及铅样品外的磁场时发现[1]。在有磁场的情况下,样品被冷却至它们的超导相变温度以下。在相变温度以下时,样品几乎抵消掉所有里面的磁场。他们只是间接地探测到这个效应;因为超导体的磁通量守恒,当里面的场减少时,外面的场就会增加。这实验最早证明超导体不只是完美的导电体,并为超导态提供一个独特的定义性质。
=='''简介'''==
在弱场下,超导体几乎"排斥"掉所有的磁通量,磁力线无法穿透超导体。它通过在其表面建立起电流来达到这点。这些表面电流的磁场与外加的磁场在超导体内互相抵消。由于场排斥(或抵消)并不随时间而改变,所以导致这效应的电流(又称持久电流)并不会因时间而减弱。因此电导率可被视为无限:即超导体。在接近表面的一定距离内,磁场并不会被完全抵消,这个距离被称为伦敦穿透深度。每一种超导体都有其特有的穿透深度。任何完美的零电阻导电体都会因为简单的电磁感应现象,阻止通过其表面的磁通量改变。然而,超导体的迈斯纳效应跟这个有区别:当为了在外加磁场下到达超导态,而冷却一般导电体时,磁通量在相变期间会被[[排斥]]。这样的效应无法只用无限电导率来解释。它的解释比这个更复杂,最早由弗里茨·伦敦与海因茨·伦敦两兄弟在伦敦方程中提出。
=='''评价'''==
产生迈斯纳效应的原因是:当超导体处于超导态时,在磁场作用下,表面产生一个无损耗感应电流。这个电流产生的磁场恰恰与外加磁场大小相等、方向相反,因而在深入超导区域总合成磁场为零。换句话说,这个无损耗感应电流对外加磁场起着屏蔽作用,因此称它为抗磁性屏蔽电流。超导体不同于电阻无限小或者为零的理想导体。因为对于电阻率ρ无限小的理想导体,根据欧姆定律E=ρJ,若ρ=0,则由麦克斯韦方程组▽×E=-δB/δt=0,由此可知在加磁场前后理想导体体内磁感应强度不发生变化,即B=C≠0,C为加入磁场前导体体内的磁感应强度。而超导体的迈斯纳效应要求深入超导区B=0。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1726274335806664486&wfr=spider&for=pc 迈斯纳效应]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==
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