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天野浩
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{{Infobox person
| name = 天野浩 <br> あまの ひろし
| image = [[File: 天野浩.png|缩略图|center|300px|[http://www.semicond.nuee.nagoya-u.ac.jp/ 圖片來源:天野 浩 研究室 ] ]]
| birth_date = {{Birth date and age|1960|9|11|mf=y}}
| birth_place = [[日本]][[靜岡縣]][[濱松市]]
* 1985年,[[天野浩]]開發了用於在[[藍寶石]]襯底上生長III族[[氮化物]][[半導體]]膜的低溫沉積緩衝層(AIN),從而實現了III族[[氮化物]][[半導體]]的[[發光二極管]] 和 [[激光二極體]]。
* 1989年,[[天野浩]]在[[名古屋大學]]的[[赤崎勇]]研究室成功生成[[p型GaN]]([[氮化鎵]])[[磊晶體]],首次觀測到[[p型材料]]的劇烈發光 。他也在同年取得工學博士學位。1992年,[[天野浩]]跟隨[[赤崎勇]]研究室移動至[[名城大學]],2002年升為教授,2010年回到名大擔任工學研究科教授 。
* 世界最初的[[pn結GaN]][[紫外光]]/[[藍色發光二極體]]便出現在[[天野浩]]的手上<ref>{{lang|ja|[httphttps://www.chem-station.com/chemist-db/archives/2009/08/-hiroshi-amano.php 天野 浩 Hiroshi Amano - 世界の化学者データベース World chemistsDB]}}</ref> ,他也在同年取得工學博士學位。1992年,天野跟隨赤崎研究室移動至[[名城大學]],2002年升為教授,2010年回到名大擔任工學研究科教授 。
== 榮譽 ==