{{Infobox scientist|name = 羅伯特·海思·丹納德 <br> Robert H. Dennard|image = Robert Dennard.jpg|caption = 羅伯特·海思·丹納德博士，[[IBM院士]]，圖中背後圖形為[[動態隨機存取記憶體]]（DRAM）記憶單元的電路圖|birth_date = {{birth date|1932|9|5|mf=y}}|birth_place = {{USA}}[[德克薩斯州]][[特雷爾]]|death_date = |death_place = |residence = {{USA}}|citizenship = {{USA}}|nationality = {{USA}}|ethnicity = |fields = [[電機工程]]|workplaces = [[IBM]]|alma_mater = [[南方衛理公會大學]] <br> [[卡內基技術學院]]|doctoral_advisor = |academic_advisors = |doctoral_students = |notable_students = |known_for = [[動態隨機存取記憶體]]（DRAM）|influences = |influenced = |awards = [[哈維獎]]（1990） <br> [[IEEE愛迪生獎章]]（2001） <br> [[IEEE榮譽獎章]]（2009）|signature = |footnotes = }} '''羅伯特·海思·丹納德'''（ 英語：{{lang-en|'''Robert Heath Dennard''' ，1932年9 }}，{{bd|1932年|9 月5日 － |||catIdx=Dennard, Robert}} ）， 出 生於 [[ 美國 ]][[ 德克薩斯州 ]] 特雷爾（Terrell）， 是位傑出的 電機工程師與發明家， 第一位 為[[ 隨機存取記憶體 ]] （DRAM）的發明者。==生平==1954年，於達拉斯[[南方衛理公會大學]]取得電機工程學士，1956年取得碩士學位。1958年，於[[卡內基技術學院]]（[[卡内基梅隆大學]]的前身）取得博士學位。畢業後，進入[[IBM]]工作。 1968年，發明[[隨機存取記憶體]]。1970年代與1980年代，投入[[MOSFET]]的微縮方程式(scaling equations)研發。 ==榮譽==2013年，獲得日本[[京都賞]]先進技術獎。 == 外部連結 ==* {{en}}{{Citation | url = http://web.mit.edu/invent/iow/Dennard.html | publisher = MIT | title = Inventor of the Week | type = Archive | contribution = Robert Dennard}}.* {{en}}{{Citation | url = http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Robert_H._Dennard | type = Bio | publisher = IEEE | title = Legacies | contribution = Robert H Dennard}}.  {{Authority control}}{{DEFAULTSORT:Dennard,Robert}}[[Category:美国发明家]][[Category:美國電機工程師]][[Category:卡內基美隆大學校友]][[Category:IBM員工]][[Category:IBM院士]][[Category:美国国家工程院院士]][[Category:美國工程師]][[Category:富兰克林研究所本杰明·富兰克林奖章获得者]][[Category:查尔斯·斯塔克·德雷珀奖获得者]][[Category:京都奖获得者]]