''' 张乃千 ''' ，男，95年毕业于清华大学电子工程学士学位，微波专业，07年毕业于加州大学电子与计算机工程博士学位，半导体专业，是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一，是美国电子工程师协会(IEEE)会员，及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。== 简介 == 基 张乃千博士是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一，是美国电子工程师协会(IEEE)会员，及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。1997年入美留学加州大学Santa Barbara分校，师从美国科学院院士Umesh Mishra教授，获固态半导体博士学位。在博士研究阶段，张乃千研制出世界首个GaN电力电子器件，其击穿电压超过1千伏。毕业后进入当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司，两年后任产品开发主管，主持砷化镓(GaAs)功放芯片产品开发工作，并参与氮化镓微波功率器件开发。2006年底任Fultec公司先进半导体技术经理，负责开发高电压氮化镓开关功率器件。他研制出的2千伏开关又一次刷新了该领域GaN器件的记录，开创了氮化镓应用于电力电子的新局面。2007年张乃千回国创办了西安能讯微电子有限公司。能讯公司是中国第一家生产宽禁带半导体电子器件的企业，致力于氮化镓等功率器件的产品开发及产业化。2009年4月因其在氮化镓电子器件领域所作出的的突出贡献，以及对其产业化的努力，张乃千入选首批中组部评选的"千人计划"国家特聘专家。张乃千 本 信息科就读于清华大学电子工程系微波工程专业，之后曾作为访问学者于香港城市大学研究高效率微波放大器。{{Infobox person | 姓名 =[[File:张乃千.jpg|缩略图|张乃千]] | 图像 =| 图像说明 = [http://tec.suda.edu.cn/images/15/10/24/12o6clwnaf/269h_image006.jpg 原图链接] [http://image.baidu.com/search/index?tn=baiduimage&ct=201326592&lm=-1&cl=2&nc=1&ie=utf-8&word=%E5%BC%A0%E4%B9%83%E5%8D%83 来自360网]]] | 出生日期 = {{birth date and age|YYYY|MM|DD}} <!-- 逝世用: {{Birth date|YYYY|MM|DD}} --> | 出生地点 = 中国 | 逝世日期 = {{Death date and age|YYYY|MM|DD|YYYY|MM|DD}} <!-- 死亡日期在前， 出生日期在后 --> | 逝世地点 = | 国籍 =中国 | 别名 = | 职业 = | 知名于 =电子与计算机工程 <br>}}