逆反應
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逆反應是由生成物到反應物(或由右到左)的反應，在相同條件下同時向正、反兩個方向進行的反應稱為可逆反應(reversible reaction)，而在可逆反應中，由反應物到生成物(或由左到右)的反應是正反應。
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簡介
在相同條件下同時向正、反兩個方向進行的反應稱為可逆反應(reversible reaction)，而在可逆反應中，由反應物到生成物(或由左到右)的反應是正反應，由生成物到反應物(或由右到左)的反應是逆反應。
例如:N2+3H2 ==(可逆號)2NH3 ，其中NH3 生成N2和H2的反應為逆反應。
評價
在逆反應燒結製備碳化硅/氮化硅複合材料過程，Si3N4/SiC複合材料氧化時，Si3N4將先於SiC氧化，氧化產物可以是SiO2，也可以是Si2N2O，它們都能形成活性燒結。表面氧化膜不論是SiO2或Si2N2O都不會與Si3N4或SiC作用，能保護基體不再氧化。燒結工藝結果表明：最佳的燒結工藝是50℃/h的升溫速率，在800℃左右進行4h以上的保溫，然後在1450℃再燒結2h，該工藝可以獲得較高比強度及密度增加率和適中殘氮率的燒結試樣。 相關結論： （1）用逆反應燒結工藝可以製備出物理性能與金屬Si氮化反應燒結的Si3N4/SiC複合材料相當的製品。 （2）逆反應燒結的Si3N4/SiC複合材料的抗冰晶石熔體的能力高於反應燒結製品。原因是基體結構緻密，孔隙分布均勻，加之氮化物、氮氧化物與碳化硅對熔體為非潤濕性，因此能起到阻止滲透的作用。對於沒加iS的試樣可以看到熔體析出的細小結晶。說明有一部分融人或參與了侵蝕反應的材料存在。 （3）逆反應燒結的Si3N4/SiC複合材料中如有金屬硅存在時，其抗侵蝕滲透性能更好。原因是氧化產物以Si2N2O為主，Si2N2O具有較SiO2更強的抗侵蝕能力，在溶蝕邊界上看不到融人熔體再析出的細小結晶。 （4）逆反應燒結製備Si3N4/SiC複合材料的機理是Si3N4氧化後生成活性的Si2N2O或SiO2的結果。這些活性的細小顆粒分散於Si3N4生和SiC邊界，從而形成活性燒結，因而可在1450℃下燒成製品。[1]