漫談光通信·芯片卷
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《漫談光通信·芯片卷》，匡國華 著，出版社： 上海科學技術出版社。
書籍對於人類原有很重大的意義，但，書籍不僅對那些不會讀書的人是毫無用處，就是對那些機械地讀完了書還不會從死的文字中引申活的思想[1]的人也是無用的。 —— 烏申斯基[2]
目錄
內容簡介
光通信作為一個新興產業，逐漸成為現代通信的主要支柱之一。本書採用通俗詼諧的語言，採用大量創意插圖，深入淺出地向讀者介紹光通信領域中光芯片相關理論及其技術知識，同時對光芯片及相關產品的應用、市場、歷史、發展等進行了多角度解讀。
目錄
半導體激光器激光器2
激光器小信號頻響24
DFB激光器等效電路模型26
FP，DFB，DBR的區別30
【5G光模塊】——FP激光器的模式分配噪聲35
DFB雙峰對光通信系統的影響37
DFB激光器雙峰40
DFB直調激光器的發展方向41
相干光模塊中的窄線寬激光器46
用於突發模式下一代PON的MEL激光器雙電級DFB47
非製冷DWDM激光器50
FP和DBR的區別53
DFB的發展史58
DFB的光柵60
雙腔DFB激光器62
區分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65
激光器發散角優化結構69
為什麼激光器的BH結構需要多次外延71
背光74
為什麼不能「輕易」把GPON ONU的DFB激光器換成
便宜的FP76
區分DFB，DML，EML80DBR激光器82
DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵83
多縱模激光器的傳輸距離87
單縱模激光器的傳輸距離89
FP與DFB的波長溫度漂移91
區分電光效應、光電效應與電致發光效應94
相干通信歷程、可調諧光源標準發展史97
可調諧激光器102
外腔激光器104
DML的啁啾與補償激光器的啁啾、展寬與色散108
啁啾110
直調激光器啁啾管理的幾個方案113
啁啾光柵與色散補償115
利用微環做DML的啁啾管理117
直調激光器的傳輸並不是距離越長TDP就一定越大121
PT對稱光柵122
Avago的高速VCSEL124
MEMS VCSEL128
比VCSEL小100倍的BICSEL130
Finisar VCSEL 用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/s
PAM4信號134
超薄激光器135
鈮酸鋰調製器電光調製器140
鈮酸鋰調製器141
為何鈮酸鋰調製器那麼長146
鈮酸鋰薄膜製備148
電吸收調製器EAM電吸收調製器等效模型154
為何探測器和電吸收調製器，加反電壓，而不是正電壓157
電吸收調製器的吸收波長紅移159
非製冷單波100Gb/s EML164
EML更容易實現更大的消光比167
電吸收調製激光器EML169
為什麼EML要加一個TEC171
調製器熱光調製176
PN結載流子耗盡型硅基調製器178
光調製器的載流子耗盡型與注入型的區別181
光探測器探測器186
探測器響應度與光模塊靈敏度之間的關係196
幾種探測器的結構198
垂直型與波導型PIN202
平衡探測器204
探測器速率與結電容207
探測器結構與響應度、靈敏度211
探測器材料與截止波長214
探測器材料之Si，GeSi，GaAs217
探測器響應度下降原因218APD的蓋革模式220
APD蓋革模式的應用223
光電二極管台面結構225
半導體工藝GaAs襯底230
激光器襯底——InP單晶233
激光器中含鋁材料238
為什麼激光器的熱燒蝕，更容易發生在腔表面244
激光器有源材料晶格缺陷與可靠性，GaAs比InP更難246
激光器晶格缺陷之線位錯248
激光器襯底生長技術： VGF垂直梯度凝固法250
分子束外延253
半導體工藝中的「退火」257
激光器材料生長——張應變和壓應變260
衍射極限264
電子束光刻EBL269
納米壓印271
激光器波導結構製作： 干法刻蝕與濕法刻蝕273
MACOM激光器垂直端面刻蝕280
DFB激光器的倒台波導283
磁控濺射——光芯片電極製作287
CBN立方氮化硼291
脈衝激光濺射292
電子束蒸鍍——光芯片電極製作296
半導體激光器歐姆接觸以及歐姆接觸與肖特基接觸的
區別299
激光器減薄，與台階儀厚度檢測原理304
激光器端面鈍化307
激光器從材料到芯片310激光器晶圓劃片與裂片314
特殊波導製作與激光冷加工319
半導體物理與器件結構電芯片的材料Si，GeSi和GaAs324
半導體材料，P型、N型半導體與PN結328
FET，MOSFET，MESFET，MODFET330
三星3nm全環柵結構335
5nm晶體管技術之爭GAA FET，IMEC 8nm納米線337
晶體管之BJT，FET，CMOS，HBT，HEMT340
電芯片的鍺硅與CMOS區別343
MOSFET與符號344
縮略語349』