氮化镓微波功率器件

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《氮化镓微波功率器件》，马晓华，郑雪峰，张进成 著，出版社： 西安电子科技大学出版社。

随着科学技术日新月异地发展，传播知识信息手段，除了书籍、报刊外，其他工具也逐渐产生和发展起来。但书籍的作用，是其他传播工具或手段所不能代替的。在当代，无论是中国，还是其他国家，书籍仍然是促进社会政治、经济、文化发展必不可少的重要传播工具。

目录

内容简介

氮化镓微波功率器件出现至今，无论是其关键技术还是工程应用均取得了快速发展，目前已在新一代移动通信、新型雷达等领域获得了广泛应用。为了推动氮化镓知识的普及，促进读者对氮化镓技术的了解，作者结合研究团队多年的研究及技术实践编撰了此书。本书共6章，包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模、新型氮化镓微波功率器件。

本书可作为微电子器件领域学生的专业教材，也可作为相关领域研究生及从业人员的参考资料。

目录

第1章 绪论

1．1 背景

1．2 氮化镓材料研究进展

1．3 氮化镓微波功率器件研究进展

1．4 氮化镓微波功率器件可靠性进展

参考文献

第2章 氮化物材料MOCVD生长技术

2．1 GaN材料基本特性及MOCVD生长技术

2．1．1 GaN材料的基本特性

2．1．2 MOCVD方法生长GaN简介

2．2 磁控溅射AIN基板生长GaN薄膜技术

2．2．1 磁控溅射AIN特性简介

2．2．2 磁控溅射AIN基板上GaN材料生长及表征

2．2．3 磁控溅射AIN基板位错抑制机理分析

2．3 微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术

2．3．1 部分接触式横向外延过生长简介

2．3．2 微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征

2．3．3 微纳球掩膜技术外延机理分析

2．4 斜切衬底上N面GaN材料生长技术

2．4．1 N面GaN材料简介

2．4．2 斜切衬底上N面GaN材料生长

2．4．3 斜切衬底上N面GaN材料位错湮灭机理分析

2．5 InGaN沟道异质结

2．5．1 InGaN沟道异质结特性简介

2．5．2 InGaN沟道异质结基本特性表征

2．5．3 InGaN沟道异质结电学特性分析

参考文献

第3章 氮化镓微波功率器件技术

3．1 器件的直流参数及测量

3．2 氮化镓基器件制备工艺

3．2．1 新材料表面镜检与清洗

3．2．2 标记金属制备

3．2．3 欧姆金属制备

3．2．4 器件有源区隔离

3．2．5 表面钝化

3．2．6 栅下钝化层去除以及势垒层处理

3．2．7 栅下绝缘介质生长

3．2．8 肖特基栅金属制备

3．2．9 表面二次钝化与互连金属布线

3．3 微波大功率器件

3．3．1 微波大功率器件研究进展

3．3．2 微波功率器件工作电压提升技术

3．4 毫米波器件

3．4．1 毫米波器件研究背景及发展历程

3．4．2 毫米波器件栅结构研究

3．4．3 毫米波器件短沟道效应研究

3．5 热分析与热设计

……

第4章 微波功率器件新型工艺

第5章 微波功率器件建模

第6章 新型氮化镓微波功率器件