康晉鋒
人物履歷
康晉鋒，北京大學信息學院教授，北京大學上海微電子研究院副院長。1984年畢業於大連工學院物理系獲理學學士；分別於1992和1995年獲在北京大學理學碩士和理學博士學位；1996年至1997年，在北京大學微電子所從事博士後研究工作；1997開始在北京大學微電子所任副教授，2001年8月開始任教授。2002年至2003年受邀以訪問教授（Visiting Professor）身份在新加坡國立大學半導體納米器件實驗室（SNDL）從事合作研究一年。
教育背景
2001年-至今 北京大學信息科學技術學院教授，博士生導師
2002-2003年 新加坡國立大學 訪問教授
1997-2001年 北京大學信息科學技術學院 副教授
1996-1997年 北京大學微電子所 博士後
1992-1995年 北京大學計算機系 博士
1989-1992年 北京大學計算機系 碩士
1980-1984年 大連工學院物理系 學士
研究方向
研究領域
（1） 新型阻變存儲器及其集成
（2） 基於阻變器件的神經計算系統的實現與設計
（3） 新型光伏與傳感器件
科研經歷
2000-2005年 973 項目課題「新型柵結構材料相關問題研究」 ，課題負責人之一
2003-2005年 863 重大專項課題「0.09微米CMOS集成電路大生產工藝與可製造性」，課題組長
2005-2007年國家自然科學基金課題「高K/金屬柵CMOS器件性能退化機理研究」，課題負責人
2006-2010年 973 項目課題「低功耗高可靠的新型非揮發性存儲器件研究」，課題負責人之一
2009-2011年 國家重大專項課題「 RRAM關鍵工藝和技術」，北大子課題負責人
2010-2014年 973 項目課題「納米尺度CTM存儲電路設計及模型模擬研究」，課題負責人
2011-2015年 973 項目課題「新型存儲器件及工藝基礎研究」，北大子課題負責人
2014-2017年 國家自然基金重點課題「超高密度存儲器三維集成關鍵技術研究」，北大負責人
獲獎情況
2004年 北京大學楊芙清王陽元院士優秀教學科研獎
2007年 教育部科學技術進步獎 一等獎
2007年 北京市科學技術獎 一等獎
2008年 國家科技進步獎 二等獎
2013年 北京大學優秀博士學位論文指導教師
科研成果
課題組迄今已發表論文 300 余篇，SCI累計引用1900餘次， 3篇論文入選ESI高引用論文，H因子為 22 ，多次受邀在IEDM、SSDM、MRS、ASP-DAC、ISCAS等國際學術會議以及AMAT、IBM、IMEC、ITRI等國際著名研發機構做特邀報告。申請國家發明專利100餘項、其中授權專利41項；申請國際專利10項，5項已獲授權。
學術成果
論文
入選ESI高引用論文目錄：（*通訊作者論文）
1. N. Xu , L.F. Liu, X. Sun, X.Y. Liu, D.D. Han, Y. Wang, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, 「Characteristics and mechanism of conduction/set process in TiN/ZnO/Pt resistance switching random-access memories」, Appl. Phys. Lett., 92, p.232112, JUN 9 2008
2. B. Gao, B. Sun, H.W. Zhang, L.F. Liu, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, 「Unified Physical Model of Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory」, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 30 (12): 1326-1328 DEC 2009
3. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, 「HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,」 ACS Nano, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
近3年發表的高影響因子文章目錄：（*通訊作者論文）
1. B. Gao, Y.J. Bi, H-Y. Chen, R. Liu, P. Huang, B. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, S.M. Yu, H.-S. Philip Wong, J.F. Kang*, 「Ultra-Low-Energy Three-Dimensional Oxide-Based Electronic Synapses for Implementation of Robust High-Accuracy Neuromorphic Computation Systems」, ACS NANO Vol.8(7), pp. 6998-7004, JUL 2014
2. B. Chen, X.P Wang, B. Gao, Z. Fang, J.F. Kang*, Lifeng Liu, X.Y. Liu, Guo-Qiang Lo and Dim-Lee Kwong, 「Highly Compact (4F2) and Well Behaved Nano-Pillar Transistor Controlled Resistive Switching Cell for Neuromorphic System Application」, SCIENTIFIC REPORTS Vol.4, No.6863, OCT 31 2014
3. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H. Yu, J. Kang, and H. S. Wong, 「A low energy oxide-based electronic synaptic device for neuromorphic visual systems with tolerance to device variation,」 Adv Mater, vol. 25, pp. 1774-1779, Mar 25, 2013.
4. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, 「HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,」 ACS NANO, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
5. H. Tian, H.-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, J. Liang, Y. Yang, D. Xie, J. Kang, T.-L. Ren, Y. Zhang, and H. S. P. Wong, 「Monitoring Oxygen Movement by Raman Spectroscopy of Resistive Random Access Memory with a Graphene-Inserted Electrode,」 Nano Lett., vol. 13, pp. 651-657, FEB 2013.
IEDM、VLSI等國際旗艦會議論文目錄：
1. H-Yu Chen, B. Gao, H.T. Li, R. Liu, P. Huang, Z. Chen, B. Chen, F.F. Zhang, L. Zhao, Z.Z. Jiang, L.F. Liu, X.Y. Liu, J.F. Kang*, S.M. Yu, Y. Nishi, H.-S. Philip Wong, 「Towards High-Speed, Write-Disturb Tolerant 3D Vertical RRAM Arrays」, 2014 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2014), p.196
2. Y.X. Deng, H-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, S-C. Wu, L. Zhao, B. Chen, Z. Jiang, T-H Hou, Y. Nishi, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong, 「Design and Optimization Methodology for 3D RRAM Arrays」, Tech. Dig of IEDM2013, p.629
3. P. Huang, B. Chen, Y.J. Wang, F. F. Zhang, L. Shen, R. Liu, L. Zeng, G. Du, X. Zhang, B. Gao, J.F. Kang*, X.Y. Liu, X.P. Wang, B.B. Weng, Y.Z. Tang, G.-Q. Lo, D.-L. Kwong, 「Analytic Model of Endurance Degradation and Its Practical Applica-tions for Operation Scheme Optimization in Metal Oxide Based RRAM」, Tech. Dig of IEDM2013, p.597
4. P. Huang, X.Y. Liu*, W.H. Li, Y.X. Deng, B. Chen, Y. Lu, B. Gao, L. Zeng, K.L. Wei, G. Du, X. Zhang, and J.F. Kang*, 「A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation」, Tech. Dig of IEDM2012, p.605
5. S. Yu, B. Gao, P. Huang, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong*, 「HfOx Based Vertical Resistive Random Access Memory for Cost-Effective 3D Cross-Point Architecture without Cell Selector」, Tech. Dig of IEDM2012, p.497
6. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H.Y. Yu, J.F. Kang, and H.-S. Philip Wong*, 「A Neuromorphic Visual System Using RRAM Synaptic Devices with Sub-pJ Energy and Tolerance to Variability: Experimental Characterization and Large-Scale Modeling」, Tech. Dig of IEDM2012, p.239
7. H-Y. Chen, H. Tian, B. Gao, S. Yu, J. Liang, J.F. Kang, Y.G. Zhang, T-L. Ren, and H.-S. Philip Wong, 「Electrode/Oxide Interface Engineering by Inserting Single-Layer Graphene: Application for HfOx–Based Resistive Random Access Memory」, Tech. Dig of IEDM2012, p.489
8. B. Gao, *J.F. Kang, Y.S. Chen, F.F. Zhang, B. Chen, P. Huang, L.F. Liu, X.Y. Liu, Y.Y. Wang, X.A. Tran, Z.R. Wang, H.Y. Yu, Albert Chin, 「Oxide-Based RRAM: Unified Microscopic Principle for Unipolar and Bipolar Switching」, Tech. Dig of IEDM2011, p.417
9. B. Chen, Y. Lu , B. Gao, Y.H. Fu, F.F. Zhang, P. Huang, Y.S. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, *J.F. Kang, Y.Y. Wang, Z. Fang, H.Y. Yu, X. Li, N. Singh, G. Q. Lo, D. L. Kwong, 「Physical Mechanisms of Endurance Degradation in TMO-RRAM」, Tech. Dig of IEDM2011, p.283
10. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, X. Wu, L. Wu, Z. Fang, Z.R. Wang, K.L. Pey, X.P. Wang, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, H.Y. Yu, 「Self-Rectifying and Forming-Free Unipolar HfOx Based High Performance RRAM Built by Fab-Avaialbe Materials", Tech. Dig of IEDM2011, p.713
11. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, L. Wu, Z.R. Wang, Z. Fang, K.L. Pey, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, and H.Y. Yu, 「High Performance Unipolar AlOy/HfOx/Ni based RRAM Compatible with Si Diodes for 3D Application」, 2011 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2011), (Kyoto, Japan, June,14-16, 2011), p.44
12. B. Gao, H. W. Zhang, S.M. Yu, B. Sun, L. F. Liu, X.Y. Liu, Y. Wang, R.Q. Han, *J.F. Kang, B. Yu, Y.Y. Wang, Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology. 2009 Symposium on VLSI technology, p.30
13. B. Gao, S. Yu, N. Xu, L.F. Liu, B. Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, B. Yu, Y.Y. Wang, 「Oxide-Based RRAM Switching Mechanism: A New Ion Transport Recombination Model」, Tech. Dig of IEDM2008, p.563
14. N. Xu, B. Gao, L.F. Liu, Bing Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, 「A unified physical model of switching behavior in oxide-based RRAM」, 2008 Symposium on VLSI Technology (VLSI-T2008), p.100
專著
1. J.F. Kang, B. Gao, and B. Yu, 「Metal-Oxide-Based Resistive-Switching Memory: Materials, Device Scaling, and Technology Design」, in NONVOLATILE MEMORIES Materials, Devices and Applications, Edited by Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze, AMERICAN SCIENTIFIC PUBLISHERS, 2012
2. Jinfeng Kang, Yi Wang, and Min-hua Chi, 「Green Memory Technology」, in Green Micro/Nano Electronics, Chief Editor Yangyuan Wang, Associate Editor Yuhua Cheng and Min-hua-Chi, Science Press, Beijing, 2013, Chapter 7