光有源器件
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光有源器件是光通信系统中将电信号转换成光信号或将光信号转换成电信号的关键器件，是光传输系统的心脏。将电信号转换成光信号的器件称为光源，主要有半导体发光二极管（LED）和激光二极管（LD）。将光信号转换成电信号的器件称为光检测器，主要有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）。光纤放大器成为光有源器件的新秀，当前大量应用的是掺铒光纤放大器（EDFA），很有应用前景的是拉曼光放大器。
目录
简介
我国开展光有源器件的研究是从20世纪70年代开始的。当时西方国家根据所谓“巴统”规定，对我国进行高新技术的封锁和禁运，光有源器件亦在其中。于是中科院半导体所、武汉邮科院、电子部第44所、电子部第13所等单位，发扬“自力更生”的精神，研制了波长为850nm的所谓短波长光器件，如采用GaAlAs/GaAs材料同质结或异质结结构的LD和LED光源、Si—PIN检测器等。虽然现在来看这些器件的性能较差，但也满足了我国光通信起步阶段的需要。
评价
此后，这些单位又开发了波长为1310nm和1550nm的所谓长波长器件，如采用InGaAsP/In材料隐埋双质结构的半导体激光器、采用InGaAs/In材料的PIN检测器等。这些芯片本身的性能有了很大提高，但在研制初期，芯片与光纤之间采用 环氧树脂进行粘结，所以器件的气密性能差、粘结强度小、光纤易移位，因而整个器件的性能和可靠性较差。后来采用全金属化的耦合封装工艺，器件的可靠性和寿命大大提高，满足了当时光通信日益发展的需要。1993年之前，我国光通信所需的光有源器件，基本上都是由国内生产商提供的，以致西方国家认识到在有源器件等方面再用“巴统”向我国进行技术封锁和禁运，反而失去中国的大市场，是得不偿失的，于是只得宣告“巴统”解散，国外的光有源器件开始大量涌入我国市场。[1]