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陈星弼
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陈星弼（1931年1月28日-2019年12月4日），出生于上海，原籍浙江浦江，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，被誉为“中国功率器件领路人”。

1952年毕业于同济大学电机系，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。

2019年12月4日，陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。

社会任职

他是中国电子学会会士，美国IEEE高级会员，中国国家自然科学基金评审员，半导体学报编委，中国电子学会半导体与集成技术委员会委员，中国电子学会四川省分会理事兼半导体与集成技术分会主任委员，曾连续担任国际SSICT程序委员及分会主席及一届中德友好电子周分会主席。

人物评价

陈星弼教授是中国电子学会会士、美国IEEE高级会员。多次出访国外进行科技学术交流。他热爱祖国、忠诚党的教育事与科学事业。学识渊搏、治学严谨、工作刻苦。有坚实的基础理论，能及时抓住新方向，很快深入，既能发现问题又能解决问题。

科研成就

科研综述

五十年代末，对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p-n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。

科研成果

陈星弼在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。