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天野浩 あまの ひろし
图片来源：天野浩研究室
出生	(1960-09-11) 1960年9月11日 日本静冈县滨松市
居住地	日本名古屋市
国籍	日本
母校	名古屋大学
机构	名古屋大学 名城大学
知名于	实现pn结GaN，完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极体
研究领域	电子学、工程学、半导体器件制造
奖项	诺贝尔物理学奖（2014）

图1：2014年诺贝尔奖奖项解读图示。图片来自 nobelprize.org 制图：果壳网

天野浩（ 日语：あまの ひろし，英语：Amano Hiroshi，1960年9月11日－），日本工程学家，美国国家工程院外籍院士，专长半导体器件制造。现任名古屋大学特别教授，荣获文化勋章，并被表彰为文化功劳者。

2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极体，带来了节能明亮的白色光源”与赤崎勇、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖。

主要成就 -- 蓝色 LED

• 1985年，天野浩开发了用于在蓝宝石衬底上生长III族氮化物半导体膜的低温沉积缓冲层（AIN），从而实现了III族氮化物半导体的发光二极管 和 激光二极体。

• 1989年，天野浩在名古屋大学的赤崎勇研究室成功生成p型GaN（氮化镓）磊晶体，首次观测到p型材料的剧烈发光。他也在同年取得工学博士学位。1992年，天野浩跟随赤崎勇研究室移动至名城大学，2002年升为教授，2010年回到名大担任工学研究科教授。

• 世界最初的pn结GaN紫外光／蓝色发光二极体便出现在天野浩的手上。

• 天野浩出于对研究的热情，其研究室不论平日、假日或新年过年都在工作，半夜灯火通明的模样，被称为“不夜城”。

荣誉

• 1991年 电气学会论文发表奖
• 1994年 OPTO Electronic会议特别奖
• 1996年 美国 IEEE / LEOS 工程成就奖
• 1998年 应用物理学会奖Ｃ（会志奖）
• 1998年 British Rank Prize
• 2001年 丸文学术奖
• 2002年 武田奖
• 2003年 SSDM Award
• 2008年 日本结晶成长学会论文奖
• 2014年 诺贝尔物理学奖
• 2014年 文化勋章·文化功劳者
• 2014年 滨松市荣誉市民
• 2015年 中日文化奖
• 2015年 Asia Game Changer Award
• 2016年 美国国家工程院外籍院士

获得诺贝尔物理学奖原因

• 2014年诺贝尔物理学奖得主的贡献是：
  • 赤崎勇：以低温沉积氮化铝缓冲制成高品质GaN。
  • 天野浩：实现[[pn结GaN]。
  • 中村修二：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于基于InGaN）。

视频

【华尔街日报报导】新光源发明者获2014诺贝尔物理学奖