檢視吴德馨（院士）的原始碼

{| class="wikitable" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left"
|<center>'''吴德馨'''<br><img src="http://www.czxzw.com.cn/uploadfile/1/2022/0114/b7cb0c901a4298d.jpg" width="280"></center><small>[http://www.czxzw.com.cn/index.php?m=content&c=index&a=show&catid=53&id=1358 圖片來自智库网]</small> 
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'''吴德馨'''（1936－）:半导体器件和集成电路专家。女。河北乐亭人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。另有上海铁路局人民武装部高级工程师吴德馨
==基本信息==
中文名：吴德馨

出生地：河北乐亭
 
出生日期：1936年12月20日 

毕业院校：[[清华大学]] 

职    业：教育科研工作者 

主要成就：1991年当选为中国科学院学部委员（院士）
 
性    别：女 

国    籍：中国 
==院士简介==
吴德馨（1936－）：半导体器件和集成电路专家。女。[[河北乐亭人]]。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。 60年初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路；并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。

在中国，院士是科学家的终身荣誉。连日来，活跃在人代会上的院士们或直抒胸臆、纵横捭阖，或条分缕析、娓娓道来，“风采”各有不同。但他们的出发点都是相同的，就是为国家各项事业的发展贡献自己的真知灼见，行使宪法和法律赋予的神圣职责。　全国人大代表、中科院院士吴德馨认为，遏制司法腐败，审判制度改革很重要。

吴德馨院士从事半导体器件与集成电路的研究与开发，曾获国家和中科院一等奖3项。1992年被国家科委聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。
==工作经历==
曾任国家重大科技攻关课题负责人；攀登计划首席科学家；国家重大基础研究顾问专家组成员；中科院学部主席团成员；中国电子学会常务理事；半导体与集成技术分会主任；第九届、十届全国人大常委会委员和教科文卫委员会委员等职务。
==研究领域==
主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究，包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管，氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。
==所获荣誉==
在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合。并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。

独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术。获1998年中科院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。作为国家攀登计划首席科学家负责“深亚微米结构器件及介观物理项目研究。开展了12项课题的研究。为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础。

作为工艺负责人研究成功N沟MOS4K、16K动态随机存储器和成品率的提高。独创了检验接触孔质量的露点检测法。并推广到上海器件五厂。分别获得1980和1981年中科院科技成果一等奖两次。负责平面型高速开关管的研究，独立解决了提高开关速度的关键问题，并推广至上海器件五厂和109厂，为两弹一星采用的109计算机提供器件基础。获国家新产品一等奖。2004年，获何梁何利技术科学奖。<ref>[https://www.gerenjianli.com/Mingren/103/i29ks2032c.html  名人简历网] </ref> 
== 参考来源 ==
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[[Category:科學技術醫學人物]]