開啟主選單
求真百科
搜尋
檢視 三元化合物半导体材料 的原始碼
←
三元化合物半导体材料
由於下列原因,您沒有權限進行 編輯此頁面 的動作:
您請求的操作只有這個群組的使用者能使用:
用戶
您可以檢視並複製此頁面的原始碼。
{| class="https://image.baidu.com/search/detail?ct=503316480&z=0&ipn=d&word=%E4%B8%89%E5%85%83%E5%8C%96%E5%90%88%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&step_word=&hs=0&pn=3&spn=0&di=7084067677328637953&pi=0&rn=1&tn=baiduimagedetail&is=0%2C0&istype=0&ie=utf-8&oe=utf-8&in=&cl=2&lm=-1&st=undefined&cs=3658525307%2C2963572808&os=1996706078%2C3646914092&simid=4229502835%2C700955689&adpicid=0&lpn=0&ln=830&fr=&fmq=1653137754276_R&fm=&ic=undefined&s=undefined&hd=undefined&latest=undefined©right=undefined&se=&sme=&tab=0&width=undefined&height=undefined&face=undefined&ist=&jit=&cg=&bdtype=0&oriquery=&objurl=https%3A%2F%2Fgimg2.baidu.com%2Fimage_search%2Fsrc%3Dhttp%3A%2F%2Fwww.wendangwang.com%2Fpic%2Fdfad8fd07ee47e7496f34ff6%2F10-810-jpg_6-1080-0-0-1080.jpg%26refer%3Dhttp%3A%2F%2Fwww.wendangwang.com%26app%3D2002%26size%3Df9999%2C10000%26q%3Da80%26n%3D0%26g%3D0n%26fmt%3Dauto%3Fsec%3D1655729868%26t%3Db9b4a1a073333d61c4d58869013102be&fromurl=ippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fooo_z%26e3Bojg1wg2owg2_z%26e3Bv54AzdH3F15vAzdH3F1uw1bu1a0jj90j09lmun9uumAzdH3F8a&gsm=4&rpstart=0&rpnum=0&islist=&querylist=&nojc=undefined" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left" |<center>'''三元化合物半导体材料'''<br><img src=" https://gimg2.baidu.com/image_search/src=http%3A%2F%2Fwww.wendangwang.com%2Fpic%2Fdfad8fd07ee47e7496f34ff6%2F10-810-jpg_6-1080-0-0-1080.jpg&refer=http%3A%2F%2Fwww.wendangwang.com&app=2002&size=f9999,10000&q=a80&n=0&g=0n&fmt=auto?sec=1655729868&t=b9b4a1a073333d61c4d58869013102be" width="280"></center><small> 圖片來自百度</small> |} [[三元化合物半导体材料]]是指由三种已确定的[[原子]]配比形成的化合物,并具有确定的[[禁带宽度]]和[[能带结构]]等半导体性质。从广义上来说,具有理想的Eg值的三元化合物半导体分为两类。第一类是通常所说的“赝二系”的化合物半导体,这种半导体是由两种二元化合物混合而成,例如GaAs和InAs合金混合制成的GaxIn1-xAs(其中,0≤x≤1,x表示GaAs的[[摩尔分数]])系列的三元化合物半导体。这种方式生长的半导体结构是无序的,合金元素不形成规则的结晶。第二类是真正的三元化合物晶体。正如AIP可以认为是Si晶体中的Si原子被Al原子和P原子替换而成,同样地,三元化合物系的CuGaS2也可以认为是二元系的ZnS被置换而成,即ZnS+ZnS→CuGaS2。
返回「
三元化合物半导体材料
」頁面