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P型半导体
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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>P型半导体</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t017059c06e711e1464.jpg?size=260x156 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/5498432-5736346.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''P型半导体''',也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。 =='''简介'''== 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由[[热激]]发形成。 =='''评价'''== 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。<ref>[https://view.inews.qq.com/a/20220618A097QQ00 P型半导体]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:470 製造總論]]
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