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《'''集成电路与等离子体装备'''》，赵晋荣 等 著，出版社： 科学出版社。

科学出版社是由[[中国科学院编译局]]与1930年创建的龙门联合书局于1954年8月合并成立的；目前公司年出版新书3000多种，[[期刊]]500多种，形成了以[[科学]]（S）、技术（T）、[[医学]]（M）、教育（E）、人文社科（H）<ref>[https://www.sohu.com/a/195179309_645218 论自然科学、社会科学、人文科学的三位一体]，搜狐，2017-09-28</ref>为主要出版领域的业务架构<ref>[http://www.cspm.com.cn/gsgk2017/gsjj/ 公司简介]，中国科技出版传媒股份有限公司</ref>。

==内容简介==

《集成电路与等离子体装备》主要介绍了集成电路中与等离子体设备相关的内容，具体包括集成电路简史、分类和发展方向以及面临的挑战，气体放电的基本原理和典型应用、等离子体刻蚀工艺与设备、等离子体表面处理技术与设备、物理气相沉积设备与工艺、等离子体增强[[化学]]气相沉积工艺与设备、高密度等离子体化学气相沉积工艺与设备、炉管设备与工艺等。

==目录==

TABLE OF CONTENTS

第1章 集成电路简介/1

1.1 集成电路的诞生简史/1

1.1.1 电子计算机/2

1.1.2 晶体管/4

1.1.3 集成电路/6

1.2 [[集成电路]]的发展与挑战/10

1.2.1 集成电路制造中的尺寸概念/11

1.2.2 平面工艺/14

1.2.3 摩尔定律/16

1.2.4 摩尔定律的延续/17

1.2.5 超越摩尔定律/26

1.3 集成电路分类/27

1.3.1 逻辑处理器/28

1.3.2 存储器/29

1.3.3 微元件集成电路/32

1.3.4 模拟集成电路/32

1.4 集成电路的产业化/32

1.4.1 集成电路的产业化分工/33

1.4.2 集成电路产业化要求/35

1.4.3 集成电路产业化趋势/37

1.5 集成电路领域中的等离子体设备简介/38

1.5.1 集成电路制造中的等离子体设备简介/39

1.5.2 集成电路封装中的等离子体设备简介/44

参考文献/47

第2章 等离子体基础/49

2.1 气体放电的概念和基本过程/49

2.1.1 气体放电的基本概念/49

2.1.2 气体放电基本过程/51

2.2 等离子体放电的基本性质/55

2.2.1 等离子体的基本概念/55

2.2.2 等离子体的基本特征/56

2.2.3 等离子体鞘层/58

2.2.4 等离子体振荡/60

2.3 典型的气体放电/61

2.3.1 辉光放电/63

2.3.2 容性放电/64

2.3.3 感性放电/67

2.3.4 电子回旋共振等离子体放电/71

参考文献/73

第3章 集成电路中的等离子体刻蚀工艺与装备/74

3.1 刻蚀技术的起源和历史/74

3.2 等离子体刻蚀装备的分类/78

3.2.1 容性耦合等离子体源/78

3.2.2 电感应耦合等离子体源/79

3.2.3 电子回旋共振等离子体源/79

3.3 等离子体刻蚀工艺过程/80

3.4 等离子体刻蚀工艺评价指标/82

3.4.1 刻蚀速率/82

3.4.2 刻蚀速率均匀性/82

3.4.3 刻蚀选择比/83

3.4.4 刻蚀形貌/83

3.4.5 刻蚀线宽偏差/84

3.4.6 负载效应/84

3.4.7 刻蚀线边缘和线宽粗糙度/86

3.4.8 终点检测/87

3.5 等离子体刻蚀技术在集成电路制造中的应用/89

3.5.1 硅刻蚀/89

3.5.2 多晶硅刻蚀/90

3.5.3 介质刻蚀/91

3.5.4 金属铝刻蚀/93

3.6 等离子体刻蚀工艺在集成电路封装中的应用/94

3.6.1 硅整面减薄工艺/94

3.6.2 深硅刻蚀工艺/96

3.6.3 等离子体切割工艺/99

3.6.4 硅微腔刻蚀工艺/101

3.7 等离子体刻蚀技术的挑战/104

3.7.1 双重成像曝光技术/105

3.7.2 鳍式场效应晶体管刻蚀技术/107

3.7.3 高深宽比刻蚀技术/109

参考文献/110

第4章 集成电路中的等离子体表面处理工艺与装备/113

4.1 集成电路中的等离子体表面处理工艺/114

4.1.1 等离子体去胶工艺/114

4.1.2 刻蚀后等离子体表面处理工艺/117

4.1.3 等离子体表面清洁工艺/118

4.1.4 等离子体表面改性工艺/119

4.1.5 翘*片等离子体表面处理工艺/120

4.1.6 晶圆边缘等离子体表面处理工艺/121

4.2 集成电路中的等离子体表面处理设备/124

4.2.1 远程等离子体源/124

4.2.2 晶圆边缘表面处理设备/127

4.3 等离子体表面处理技术的挑战/128

4.3.1 等离子体表面处理的损伤问题/128

4.3.2 等离子体表面处理的颗粒问题/129

4.3.3 等离子体表面处理材料种类多样化/130

4.3.4 晶圆边缘等离子体表面处理设备均匀性/130

参考文献/131

第5章 集成电路中的物理气相沉积工艺与装备/134

5.1 物理气相沉积设备概述/134

5.1.1 蒸镀设备/135

5.1.2 直流磁控溅射设备/136

5.1.3 射频磁控溅射设备/139

5.1.4 磁控溅射和磁控管设计/141

5.2 磁控溅射真空系统及相关设备/145

5.2.1 靶材/145

5.2.2 真空系统/146

5.2.3 预加热系统和去气腔室/148

5.2.4 平台系统/150

5.3 磁控溅射沉积设备腔室结构/154

5.3.1 预清洗腔室/159

5.3.2 标准PVD腔室/162

5.3.3 长距PVD腔室/165

5.3.4 金属离子化PVD腔室/171

5.3.5 DC/RFPVD腔室/174

5.3.6 MCVD/ALD腔室的集合/177

5.4 金属薄膜沉积工艺评价指标/179

5.4.1 薄膜厚度和电阻/180

5.4.2 薄膜应力/181

5.4.3 薄膜反射率/182

5.4.4 颗粒和缺陷控制/183

5.4.5 薄膜组织结构/184

参考文献/186

第6章 等离子体增强化学气相沉积工艺与装备/187

6.1 化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积/187

6.1.1 化学气相沉积简介/187

6.1.2 等离子体增强化学气相沉积简介/188

6.2 PECVD工艺原理/192

6.2.1 PECVD冷等离子体特点和电子能量分布函数/193

6.2.2 PECVD等离子体α-mode和γ-mode/195

6.3 PECVD设备/198

6.4 PECVD设备在集成电路制造中的应用/204

6.4.1 刻蚀硬掩膜/204

6.4.2 光刻抗反射膜/205

6.4.3 关键尺寸空隙填充/207

6.4.43 DNAND栅极堆叠/207

6.4.5 应力工程和结构应用/209

6.4.6 电介质膜/211

6.4.7 低介电和扩散阻挡/211

6.5 PECVD工艺性能评价/215

6.5.1 变角度光学椭圆偏振仪/215

6.5.2 光谱反射计和棱镜耦合器/217

6.5.3 傅里叶红外光谱仪/217

6.5.4 C-V和I-V电学性质测量/218

参考文献/220

第7章 高密度等离子体化学气相沉积工艺与装备/224

7.1 高密度等离子体化学气相沉积工艺/224

7.1.1 浅沟槽隔离介电质填充/227

7.1.2 层间介电质填充/229

7.1.3 金属间介电质填充/230

7.1.4 钝化介电质填充/231

7.1.5 各工艺应用之间的比较/232

7.2 高密度等离子体化学气相沉积设备/233

7.2.1 设备工艺原理/234

7.2.2 设备硬件设计/234

7.3 高密度等离子体化学气相沉积工艺性能评价/236

7.3.1 速率/236

7.3.2 膜层质量/238

7.3.3 颗粒与金属污染/243

参考文献/245

第8章 集成电路中的炉管工艺与装备/248

8.1 集成电路中的炉管工艺/248

8.1.1 炉管氧化和退火工艺/249

8.1.2 炉管低压化学气相沉积工艺/251

8.1.3 炉管原子层沉积工艺/255

8.2 炉管中的批式ALD设备/257

8.2.1 批式ALD设备概况/257

8.2.2 批式ALD设备硬件结构/258

8.2.3 批式ALD设备所能对应的集成电路薄膜/261

8.2.4 批式ALD设备的工艺说明/263

8.3 炉管中的热处理设备/264

8.3.1 氧化工艺设备/265

8.3.2 合金化/退火工艺设备/268

8.4 炉管在集成电路等离子体设备中的应用/274

8.4.1 炉管原子层沉积设备的等离子体应用介绍/274

8.4.2 炉管原子层沉积氮化硅设备的等离子体应用/278

8.4.3 炉管原子层沉积氧化硅设备的等离子体应用/280

参考文献/282

==参考文献==
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