檢視图解入门·半导体元器件精讲的原始碼

{| class="wikitable" align="right"
|-
|<center><img src=https://www0.kfzimg.com/sw/kfz-cos/kfzimg/5126996/92d186ac7bed1f66_s.jpg width="260"></center>
<small>[https://book.kongfz.com/390985/7512523292 来自 孔夫子网 的图片]</small>
|}

《'''图解入门·半导体元器件精讲'''》，[日] 执行直之 著，出版社： 机械工业出版社。

机械工业出版社成立于1950年，是建国后国家设立的第一家科技[[出版社]]，前身为科学技术出版社，1952年更名为机械工业出版社<ref>[https://www.maigoo.com/maigoo/6296cbs_index.html 中国十大出版社-出版社品牌排行榜]，买购网</ref>。机械工业出版社（以下简称机工社）由[[机械工业信息研究院]]作为主办单位，目前隶属于国务院国资委<ref>[http://www.cmpbook.com/about 企业简介]，机械工业出版社</ref>。

==内容简介==

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小[[信号]]下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。

本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。

==作者介绍==

执行直之，国际电子技术与信息科学工程师学会会士（IEEE Fellow）。

毕业于[[日本东北大学]]的工学研究科情报工学专业，并取得了博士学位（工学）。

1980年进入东芝株式会社，2019年进入铠侠控股株式会社。

专业领域为半导体器件的仿真以及器件设计。

主要贡献为：

研发了三维器件仿真工具，阐释并解决了器件微缩过程中的问题。

构造了少数载流子迁移率等物理模型，使得器件仿真工具进一步实用化，对超大规模集成电路的实现做出了贡献。

解决了一些静电放电（ESD）软件错误等相关的问题，对闪存的器件设计做出了贡献。此外还进行过功率半导体IGBT相关的研究。

合着了《MOS集成电路的基础》（近代科学社出版）、《最新半导体制程 器件 仿真技术》（REALIZE出版社出版）等书籍。

自2001年，为神奈川大学工学部兼课讲师一职。

自2004年开始的两年间，曾任东京工业大学大学院兼课讲师一职。

曾任日本东北大学大学院客座教授一职。

自2017年开始的两年间，曾任东京工业大学研究员一职。

娄煜，微电子专业硕士。曾从事数字电路评价以及验证工作。熟悉数字电路基础、半导体市场状况，以及数字电路细分领域客户需求。

==参考文献==
[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]