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半导体光电
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[[File:半导体光电.jpeg|有框|右|<big></big>[https://c61.cnki.net/CJFD/big/BDTG.jpg 原图链接][https://mall.cnki.net/magazine/magalist/BDTG.htm 来自 中国知网 的图片]]] 《'''半导体光电'''》创刊于1976年，是由[[工业和信息化部]]主管、中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所) 主办的科技期刊。本刊为双月刊，国内外公开发行，ISSN 1001-5868，CN 50-1092/TN。《半导体光电》是全国中文核心期刊，连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”。被中国科学引文数据库、中国学术期刊<ref>[https://www.sohu.com/a/359669300_120167490 你真的了解学术期刊吗] ，搜狐，2019-12-11 </ref>、Elsevier二次文献Scopus数据库、《CA》、《JA》等众多国内外[[数据库]]收录。在报道重点上，本刊秉持以光电器件为主体，以材料、结构及工艺为基础，以光电器件在各个领域中的应用为先导的选题原则。主要设有“动态综述”、“光电器件”、“[[材料]]、结构及工艺”、“光通信”及“光电技术应用”等栏目。 ===期刊简介=== 半导体光电杂志是[[专业]]技术性刊物。 期刊名称：半导体光电 英文名称：Semiconductor Optoelectronics 主办单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版周期：双月 出版地：[[重庆市]] 语言种类：[[中文]] 期刊尺寸：大16开 国际标准刊号：ISSN 1001-5868 国内统一刊号：CN 50-1092/TN 复合影响[[因子]]：0.407 综合影响因子：0.220 历史沿革： 现用刊名：半导体光电 创刊[[时间]]：1976 ==半导体光电被以下数据库收录== CA 化学文摘(美)(2011) SA 科学文摘(英)(2011) JST 日本[[科学技术]]振兴机构数据库(日)(2012年计划收录) [[中国科学引文数据库]](CSCD—2008) ===主要刊载=== 《半导体光电》主要刊载：半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍[[光学]]、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新[[工艺]]、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。 ===读者对象=== 《半导体光电》读者对象：为半导体光电专业的[[科技]]人员和大专院校师生。 《半导体光电》投稿指南 ==征稿须知== (1)来稿文责自负。文稿务必主题明确，论述合理，逻辑严谨，[[数据]]可靠，叙述清楚，[[文字]]精炼。内容应保守国家机密，引用他人作品应给出来源。 (2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和[[技术]][[报告]]的稿件，应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。 (3)摘要应包括目的、[[方法]]、[[结果]]和结论四个要素，也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题，主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。 (4) 关键词以5～8 个为宜。为便于[[文献]]检索，应尽可能提供中图分类号。 (5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各[[物理量]]符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。 (6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用[[计算机]]制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。 (7) 文稿中引用他人的成果，务请写明原作者[[姓名]]、题名、来源，一并在参考文献中给出，并在正文中相应位置进行标示，否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）： 1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码。 2) 译著:[[作者]].书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码。 3) [[期刊]]:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码。 4) [[会议]]论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码。 5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份。 6) 专利文献:专利申请者.题名.[[专利]]<ref>[https://www.sohu.com/a/232068753_100124091 如何区分三种专利] ，搜狐，2018-05-18 </ref>国别,专利号[P].公告日期或公开日期。 7) [[标准]]:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年。 8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径. 9) 注意事项 （1）参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。 （2）外文著者一律用姓在名前，采用首[[字母]]缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。 （3）外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均不大写。 （4）外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。 (8)来稿请注明作者详细[[通信]]地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。 (9) 本刊[[编辑部]]将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍，如逾期未收到刊用通知，作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用，本刊将酌付稿酬并赠送样刊。 （10）为扩大《半导体光电》的[[读者]]面与影响力，本刊已与《中国知网（CNKI）》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网，请来稿时具体说明；若未说明者，本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。 ==视频== ===<center> 半导体光电 相关视频</center>=== <center>投资10.76亿！长治半导体光电产业项目持续“加码”</center> <center>{{#iDisplay:w0977l8k3z5|560|390|qq}}</center> <center>第三代半导体光电产业创新发展论坛在昌举行</center> <center>{{#iDisplay:l0763hxxwg3|560|390|qq}}</center> ==参考文献== [[Category: 050 連續性出版品；普通期刊 ]]
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