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{{Infobox person  
| 姓名     =   刘邦贵
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| 图像说明 =   中国科学院物理研究所研究组长
| 出生日期 =   1961年12月16日
| 出生地点 =   四川省什邡市
| 逝世日期 =   
| 国籍     =   中国
| 母校     =   四川大学
| 职业     =   科研工作者
| 知名作品 =   
}}   

'''刘邦贵'''，男，生于1961年12月16日，[[四川省]][[什邡市]]人，1978年考入[[西安电子科技大学]]并于1982年获得物理学士学位，1986年在[[四川大学]]获得理论物理[[硕士]]学位，1989年在[[西北大学]]获得理论物理[[博士]]学位;1989-1991年间在物理所做博士后，1991年进入物理所，历任助理[[研究员]]、副研究员，1999年晋升为研究员，2001年被评为[[博士生导师]]<ref>[http://school.freekaoyan.com/bj/gscas/daoshi/2016/05-10/1462865058597638.shtml   中国科学院大学研究生导师简介-刘邦贵 ],中国科学院, 2016-05-09</ref>，1999年至今担任物理所研究组长<ref>[http://people.ucas.ac.cn/~liubg   刘邦贵 ],中国科学院, 2014-06-27</ref>。

==人物简历==
1995年获得德国洪堡基金会Research Fellow，2003年获得加州大学Berkeley分校Berkeley Scholar;先后多次在德国不来梅大学等(2年多)、英国牛津大学(半年)和美国加州大学Berkeley分校(1年)等做访问研究。

==主要研究方向==
(1)自旋电子学材料物理理论

(2)纳米体系的电子与结构理论研究

(3)面向纳电子学的材料与器件的计算研究与设计

(4)固体物性理论研究。

==过去的主要工作及获得的成果==
(1)计入层间磁性相互作用成功地得到了绝缘铜氧化物的子晶格磁化和尼耳温度;

(2)提出海森伯模型的物理磁子理论，消除了非物理磁子态的影响，得到了可靠的物理量;

(3)与他人合作，提出了反应形核理论解释表面活性剂诱导的异质半导体薄膜生长中的原子岛生长变化规律，探索了表面纳米结构的可控生长和结构稳定性;

(4)根据准确的第一原理计算预测了一类与半导体相容的半金属铁磁体，并且研究了它们的电子结构和磁性，证明了它们的结构稳定性;

(5)提出研究外延生长过程中原子岛与纳米结构的相场模拟方法;

(6)发展了一个简单实用的稀磁半导体TB理论;

(7)提出了一类纳米铁磁性的微观机理;

(8)提出了一类适用于信息处理与存储的纳米自旋系统及其磁化控制方法。

==所获荣誉==
以本人或其学生(或博士后)为第一作者发表SCI论文40余篇，其中Phys. Rev. Lett. 5篇，本人撰写Springer物理丛书Lecture Notes in Physics一章;被SCI引用共计300余次。获得2002-2003年度中国科学院重大创新贡献团队奖(排名第4)、2003北京市科学技术一等奖(排名第4)、2004国家科学技术二等奖(排名第4)<ref>[http://tc.wangchao.net.cn/baike/detail_556373.html   刘邦贵 ],王朝网, 2010-01-18</ref>、2005中国科学院杰出科技成就奖(排名第6)。

==目前的研究课题及展望==
(1)面向自旋电子学的磁性半导体与半金属(half-metallic)铁磁体理论;

(2)典型纳米体系的电子和自旋理论研究;

(3)面向纳电子学的材料与器件的计算研究与设计;

(4)纳米结构的生长机理探索;

(5)若干重要固体和表面体系的电子和自旋性质。

目前承担的课题:中国科学院创新工程项目、国家基金委项目、科技部973项目等。

==参考来源==
[[Category:教授]] [[Category:物理学家]]