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热载流子效应
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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #008080" align= center| '''<big>热载流子效应</big> ''' |- | [[File:D0c8a786c9177f3eb7a52ee075cf3bc79e3d564e.jpg|缩略图|居中|[https://i01piccdn.sogoucdn.com/ae413be0808ed686 原图链接][https://pic.sogou.com/pics?ie=utf8&p=40230504&interV=kKIOkrELjbgQmLkElbYTkKIMkrELjbkRmLkElbkTkKIRmLkEk78TkKILkbHjMz%20PLEDmK6IPjf19z%2F19z6RLzO1H1qR7zOMTMkjYKKIPjflBz%20cGwOVFj%20lGmTbxFE4ElKJ6wu981qR7zOM%3D_844253275&query=%E9%AB%98%E7%A3%81%E5%AF%BC%E7%8E%87%E6%9D%90%E6%96%99 来自搜狗的图片]]] |- | style="background: #008080" align= center| |- | align= light| |} '''热载流子'''就是具有高能量的载流子,即其动能高于平均热运动能量(~kT)的载流子;因此其运动速度也一定很高。热载流子诱生的MOS器件退化是由于高能量的电子和空穴注入栅氧化层引起的,注入的过程中会产生界面态和氧化层陷落电荷,造成氧化层的损伤。随着损伤程度的增加,器件的电流电压特性就会发生改变。当器件参数改变超过一定限度后,器件就会失效,器件损伤的程度和机理取决于器件的工作条件。
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